专利名称: |
基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法 |
摘要: |
本发明涉及一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。本发明的传感器是MSSM型Ti/Au/β‑Ga2O3/ZnGa2O4/Ti/Au结构的异质结柔性气敏传感器,具有三维空间异质结界面结构,气敏特性稳定,柔性可弯曲,工作温度和功耗低,可用于柔性可穿戴乙醇气体检测,在工业酒精生产监测和酒驾检测等领域具有很大的应用前景。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
浙江;33 |
申请人: |
杨丽娜 |
发明人: |
杨丽娜 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810535389.8 |
公开号: |
CN108982600A |
分类号: |
G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
申请人地址: |
322207 浙江省金华市浦江县仙华街道十里亭金冠样一区63号 |
主权项: |
1.一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器,其特征在于,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。 |
所属类别: |
发明专利 |