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原文传递 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
专利名称: 基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
摘要: 本发明涉及一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。本发明的传感器是MSSM型Ti/Au/β‑Ga2O3/ZnGa2O4/Ti/Au结构的异质结柔性气敏传感器,具有三维空间异质结界面结构,气敏特性稳定,柔性可弯曲,工作温度和功耗低,可用于柔性可穿戴乙醇气体检测,在工业酒精生产监测和酒驾检测等领域具有很大的应用前景。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 杨丽娜
发明人: 杨丽娜
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810535389.8
公开号: CN108982600A
分类号: G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12
申请人地址: 322207 浙江省金华市浦江县仙华街道十里亭金冠样一区63号
主权项: 1.一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器,其特征在于,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。
所属类别: 发明专利
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