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一种倏逝波型湿度传感器制作方法及倏逝波型湿度传感器
| 专利名称： | 一种倏逝波型湿度传感器制作方法及倏逝波型湿度传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种倏逝波型湿度传感器制作方法及倏逝波型湿度传感器。所述倏逝波型湿度传感器制作方法包括如下步骤：步骤1：制备氧化石墨烯溶液，获得浓度为预设比例的氧化石墨烯的酒精溶液；步骤2：用氢氟酸化学腐蚀的方法局部腐蚀光纤，获得局部腐蚀光纤；步骤3：用去离子水清洗所述局部腐蚀光纤；步骤4：将经过去离子水清洗后的局部腐蚀光纤的腐蚀部分置于所述氧化石墨烯的酒精溶液之上，从而在局部腐蚀光纤的腐蚀部分形成石墨烯膜层，从而形成氧化石墨烯腐蚀光纤。本申请的倏逝波型湿度传感器制作方法获得的倏逝波型湿度传感器能够克服电类传感器不能满足实时在线湿度监测的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 武汉理工大学 |
| 发明人： | 赵丹丹;文晓艳 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810538978.1 |
| 公开号： | CN109001123A |
| 代理机构： | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 |
| 代理人： | 高原 |
| 分类号： | G01N21/25(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/25 |
| 申请人地址： | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |
| 主权项： | 1.一种倏逝波型湿度传感器制作方法，其特征在于，所述倏逝波型湿度传感器制作方法包括如下步骤：步骤1：制备氧化石墨烯溶液，从而获得浓度为预设比例的氧化石墨烯的酒精溶液；步骤2：用氢氟酸化学腐蚀的方法局部腐蚀光纤，从而获得局部腐蚀光纤；步骤3：用去离子水清洗所述局部腐蚀光纤；步骤4：将经过去离子水清洗后的局部腐蚀光纤的腐蚀部分置于所述氧化石墨烯的酒精溶液之上，从而在所述局部腐蚀光纤的腐蚀部分形成石墨烯膜层，从而形成氧化石墨烯腐蚀光纤。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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