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高度分枝化的金纳米粒子SERS活性基底及其制备方法
| 专利名称： | 高度分枝化的金纳米粒子SERS活性基底及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高度分枝化的金纳米粒子SERS活性基底及其制备方法。首先以盐酸多巴胺作为还原剂还原氯金酸一步合成高度分枝化的金纳米粒子，通过调节反应条件和反应物的量，制得形貌和光学性质可控的HBGNPs；接着将HBGNPs偶联到氨基化处理的硅片的抛光面上，制备得到HBGNPs均匀、致密排列的表面增强拉曼散射活性基底；在制备过程中，需要首先用浓硫酸、双氧水混合液使硅片表面活化；之后将活化的硅片垂直放置在3‑氨基丙基三甲氧基硅烷‑乙醇溶液中进行表面改性后清洗干燥；保持氨基化硅片的抛光面朝上浸入HBGNPs溶液，使HBGNPs沉积并通过静电吸附到硅片表面。上述SERS活性基底的制备方法工艺简单、成本低廉、产率高，制得的SERS活性基底性能显著、均一性和重现性较好。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 扬州大学 |
| 发明人： | 曹小卫;史宏灿;陈帅 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810371385.0 |
| 公开号： | CN108645835A |
| 代理机构： | 南京理工大学专利中心 32203 |
| 代理人： | 邹伟红 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
| 申请人地址： | 225009 江苏省扬州市大学南路88号 |
| 主权项： | 1.高度分枝化的金纳米粒子SERS活性基底，其特征在于，包括：硅片基片，在所述硅片基片上设置带正电的氨基层，所述带正电的氨基层上吸附HBGNPs层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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