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氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法
| 专利名称： | 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法，其主要结构是在多孔硅和氧化钨的双层复合结构，依顺序利用磁控溅射镀膜工艺和热退火工艺在多孔硅顶部形成氧化钨纳米线结构，利用半导体异质结效应实现多孔硅对二氧化氮气体灵敏度和选择性的提升，从而制备有良好二氧化氮探测能力的气敏传感器。本发明制备方法制备的传感器利用氧化钨与多孔硅间异质结的影响，提升了多孔硅的气敏性能，在室温下对二氧化氮气体具有较高的灵敏度和较好的选择性，适宜应用在气敏传感器的进一步开发中。同时，这种多孔硅氧化钨复合结构气敏传感器的制备工艺重复性高，具有大规模生产的潜力。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 胡明;秦岳;周立伟;强晓永;赵博硕 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810155100.X |
| 公开号： | CN108490038A |
| 代理机构： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
| 代理人： | 琪琛 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C25F3/12(2006.01)I;G;C;G01;C23;C25;G01N;C23C;C25F;G01N27;C23C14;C25F3;G01N27/12;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;C25F3/12 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.一种氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗硅基片：将硅基片依次浸入以下清洗液中清洗：浓硫酸和双氧水混合溶液；氢氟酸溶液；丙酮；乙醇；清洗后的硅基片放入乙醇中备用；(2)制备多孔硅：采用双槽电化学腐蚀法对步骤(1)中硅基片进行腐蚀，以制备多孔硅层；腐蚀电源为恒流稳压电源，腐蚀中电流保持不变；腐蚀液为氢氟酸水溶液；腐蚀时间为2min；(3)制备钨薄膜：采用磁控溅射法在步骤(2)中样品上制备金属钨薄膜；将步骤(2)中样品放入对靶磁控溅射机的真空室中，多孔硅层朝外；调节磁控溅射机参数，设置所需的本体真空度、氩气流量、工作压强、溅射功率；溅射时间1min；(4)制备氧化钨纳米线：在步骤(3)的样品基础上，通过热处理制备氧化钨纳米线；将步骤(3)中样品多孔硅层朝上置于管式炉中，调节所需的本体压强、气体比例、热处理温度、升温速率，温度保持时间1.5h；(5)退火氧化钨纳米线：将步骤(4)中样品多孔硅层朝上置于马弗炉中，调节热处理温度、升温速率，温度保持时间1h；(6)制备铂电极：将步骤(5)中样品置于电极模版中，放置于磁控溅射机真空室内，多孔硅层朝外；调节磁控溅射机参数，设置所需的本体真空度、氩气流量、工作压强、溅射功率；溅射时间2min。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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