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一种金纳米块阵列的制备方法及其折射率传感器
| 专利名称： | 一种金纳米块阵列的制备方法及其折射率传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备，涉及微纳尺度的制备及微纳光学，属光信息领域；提出了一种金纳米块阵列的制备方法，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列；实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工；由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备，制备成本相较其他方法要低；本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振，利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测，金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 苏州大学 |
| 发明人： | 吴绍龙;李亮;李孝峰;李刘晶;秦琳玲 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811041364.9 |
| 公开号： | CN109100327A |
| 代理机构： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 |
| 代理人： | 王利斌 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01)I;G01N21/552(2014.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/41;G01N21/552 |
| 申请人地址： | 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
| 主权项： | 1.一种金纳米块阵列的制备方法，先使用溶液法合成金纳米块，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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