专利名称: |
一种胎压传感器制造方法及胎压传感器 |
摘要: |
本发明公开了一种胎压传感器制造方法及胎压传感器,该制造方法包括如下步骤:在第一衬底上刻蚀形成压力传感器的第一空腔和加速度计的第二空腔;在第一衬底上方键合第二衬底;在第二衬底内形成压力传感器的压力敏感膜,以及形成用于制造加速度计的悬梁臂和敏感质量块的器件结构层;在第二衬底上掺杂制作第一压敏电阻以及第二压敏电阻,以及掺杂制作第一压敏电阻和第二压敏电阻的第一导线,以及向第二衬底施加反偏电压的第二导线;在第二衬底上形成多个接触孔并在每个接触孔内沉积形成金属焊盘区域;对加速度计器件结构层进行刻蚀制造悬臂梁和敏感质量块,本发明实现了压力传感器和加速度计的单芯片集成,解决了胎压传感器制造工艺复杂的问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
重庆;50 |
申请人: |
华润微电子(重庆)有限公司 |
发明人: |
焦文龙;闫旭亮 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810462931.1 |
公开号: |
CN108749494A |
代理机构: |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人: |
俞涤炯 |
分类号: |
B60C23/04(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;B;G;B60;G01;B60C;G01L;B60C23;G01L9;B60C23/04;G01L9/06 |
申请人地址: |
400000 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 |
主权项: |
1.一种胎压传感器制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:步骤S1:在一第一衬底上刻蚀形成压力传感器的第一空腔和加速度计的第二空腔;步骤S2:在所述第一衬底的上方键合一第二衬底;在所述第二衬底内相对于所述第一空腔的位置形成所述压力传感器的压力敏感膜,以及在所述第二衬底内相对于所述第二空腔的位置形成用于制造所述加速度计的悬梁臂和敏感质量块的器件结构层;步骤S3:在所述第二衬底上掺杂制作多个所述压力传感器的第一压敏电阻以及多个所述加速度计的第二压敏电阻;步骤S4,在所述第二衬底上掺杂制作所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻的第一导线,以及向第二衬底施加反偏电压的第二导线;形成一钝化层覆盖所述第二衬底的上表面、所述第一压敏电阻以及所述第二压敏电阻,并打开部分钝化层以形成多个接触孔;步骤S5:在每个所述接触孔内分别沉积形成金属焊盘区域,对加速度计结构层进行刻蚀制造悬臂梁和敏感质量块,从而形成所述胎压传感器。 |
所属类别: |
发明专利 |