专利名称: |
一种基于一元二次回归模型定量反演岩石SiO2含量的方法 |
摘要: |
本发明属于一种基于一元二次回归模型定量反演岩石SiO2含量的方法,具体包括:一、岩石发射率光谱测量,获取岩石样本发射率曲线;二、岩石样品SiO2含量室内定量化学分析;三、表征岩石SiO2含量诊断波长选取和光谱指数构建;四、构建岩石样品SiO2含量定量反演模型;五、岩石样品SiO2含量定量反演模型精度评价。通过主观和客观评价得出该模型反演精度优于90%,可用于野外快速准确的识别岩石SiO2含量,大大降低了岩石SiO2含量室内化学分析的时间和经济成本,这对加快与硅化、石英脉相关的矿产勘查进度具有重要的推动意义。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
核工业北京地质研究院 |
发明人: |
王俊虎;杜锦锦 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201610929221.6 |
公开号: |
CN108007871A |
代理机构: |
核工业专利中心 11007 |
代理人: |
高尚梅 |
分类号: |
G01N21/25(2006.01)I;G01N5/04(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N5;G01N21/25;G01N5/04 |
申请人地址: |
100029 北京市朝阳区小关东里十号院 |
主权项: |
一种基于一元二次回归模型定量反演岩石SiO2含量的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、岩石发射率光谱测量;选用野外采集的若干个岩石样本,对每一个岩石样本均进行热红外辐亮度测量,并进行发射率分离,获得所有岩石样本的发射率曲线;步骤二、岩石样品SiO2含量室内定量化学分析;;对岩石样本进行SiO2含量和烧失量百分比分析,用岩石样本SiO2含量百分比减去烧失量百分比即岩石样本的真实SiO2含量,剔除SiO2含量低的岩石样本,剩余岩石样本组成样本集;步骤三、表征岩石SiO2含量诊断波长选取和光谱指数构建;在岩石样本集的发射率曲线中,从8.00~9.70μm波长区间内,选取第1个特征发射谷对应的波长λ1和第一个特征发射峰对应的波长λ2,获取每一个样品λ1波段对应的发射率εm1和λ2波段对应的发射率εm2,计算每个岩石样本的SiO2光谱指数Xm;步骤四、岩石样品SiO2含量定量反演模型构建;基于二分之一岩石样本集岩石的SiO2光谱指数X,及其岩石样本的真实SiO2含量,运用统计学原理,构建一元二次回归模型即SiO2含量定量反演模型;步骤五、岩石样品SiO2含量定量反演模型精度评价;以剩余二分之一岩石样品集的岩石样本SiO2光谱指数X为变量,代入上述反演模型,得到样品集每一个岩石样本的SiO2反演含量;通过对每一个样本的SiO2反演含量与真实含量统计分析得出,一元二次回归模型的平均反演精度高于90%,为有效反演模型。 |
所属类别: |
发明专利 |