专利名称: |
磁振效应印迹传感器 |
摘要: |
本发明磁振效应印迹传感器,属于磁振效应印迹传感器技术领域;所要解决的技术问题为:提供一种检测速度快、精度高、检测灵活性大的磁振效应印迹传感器;解决该技术问题采用的技术方案为:包括壳体,所述壳体的一端设置有数据输出端口,现场通信总线通过所述数据输出端口与中央控制器相连;所述中央控制器设置在壳体的一侧,所述壳体的另一侧设置有磁铁条,所述中央控制器与磁铁条之间平行设置有一对传感模块,包括第一磁弹性离子印迹传感模块和第二磁弹性离子印迹传感模块;所述第一磁弹性离子印迹传感模块的上方还设置有第一线圈,所述第二磁弹性离子印迹传感模块的上方还设置有第二线圈;本发明应用于离子溶液浓度检测。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
山西;14 |
申请人: |
太原理工大学 |
发明人: |
袁仲云;李宇超;桑胜波;禚凯;张虎林;张强 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810344927.5 |
公开号: |
CN108802086A |
代理机构: |
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 |
代理人: |
崔浩;冷锦超 |
分类号: |
G01N24/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N24;G01N24/00 |
申请人地址: |
030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号 |
主权项: |
1.磁振效应印迹传感器,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)的一端设置有数据输出端口(2),现场通信总线通过所述数据输出端口(2)与中央控制器(3)相连;所述中央控制器(3)设置在壳体(1)的一侧,所述壳体(1)的另一侧设置有磁铁条(4),所述中央控制器(3)与磁铁条(4)之间平行设置有一对传感模块,包括第一磁弹性离子印迹传感模块(5)和第二磁弹性离子印迹传感模块(6);所述第一磁弹性离子印迹传感模块(5)的上方还设置有第一线圈(7),所述第二磁弹性离子印迹传感模块(6)的上方还设置有第二线圈(8);所述第一磁弹性离子印迹传感模块(5)包括第一波形发生模块(9)和第一信号放大模块(10),所述第一波形发生模块(9)通过第一线圈(7)与第一信号放大模块(10)相连;所述第二磁弹性离子印迹传感模块(6)包括第二波形发生模块(11)和第二信号放大模块(12),所述第二波形发生模块(11)通过第二线圈(8)与第二信号放大模块(12)相连;所述第一信号放大模块(10)和第二信号放大模块(12)的信号输出端与中央控制器(3)相连,所述中央控制器(3)的信号输出端与监控计算机(13)相连。 |
所属类别: |
发明专利 |