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基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器
| 专利名称： | 基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器，包括金属电极、二氧化硅层、掺杂硅层、多条石墨烯纳米带和多片方形石墨烯片；其中二氧化硅层设置在掺杂硅层上，二氧化硅层的底面与掺杂硅层的顶面紧贴；多条石墨烯纳米带从左到右依次设置在二氧化硅层的顶面上，石墨烯纳米带之间为平行设置；多片方形石墨烯片设置在二氧化硅层的顶面上，其设置位置位于相邻的两条石墨烯纳米带之间，金属电极设置在二氧化硅层的顶面上，其设置方向与石墨烯纳米带的设置方向相垂直，金属电极与石墨烯纳米带电连接。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 华南师范大学 |
| 发明人： | 谢泽韬;倪枫超;马棋昌;赵官文;黄旭光;陶金 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201820289503.9 |
| 公开号： | CN207850922U |
| 代理机构： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
| 代理人： | 禹小明 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/41 |
| 申请人地址： | 510631 广东省广州市天河区中山大道西55号 |
| 主权项： | 1.一种基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器，其特征在于：包括金属电极、二氧化硅层、掺杂硅层、多条石墨烯纳米带和多片方形石墨烯片；其中二氧化硅层设置在掺杂硅层上，二氧化硅层的底面与掺杂硅层的顶面紧贴；多条石墨烯纳米带从左到右依次设置在二氧化硅层的顶面上，石墨烯纳米带之间为平行设置；多片方形石墨烯片设置在二氧化硅层的顶面上，其设置位置位于相邻的两条石墨烯纳米带之间，金属电极设置在二氧化硅层的顶面上，其设置方向与石墨烯纳米带的设置方向相垂直，金属电极与石墨烯纳米带电连接。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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