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一种基于带隙等离子体谐振的高灵敏度太赫兹微流传感器
| 专利名称： | 一种基于带隙等离子体谐振的高灵敏度太赫兹微流传感器 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于带隙等离子体谐振的高灵敏度太赫兹微流传感器，设计传感器领域。该传感器自上而下包括盖板(Cap)，介质环(Etching groove)，金属阵列周期性结构层，微流体通道，金属反射镜，衬底介质基片和液体输入输出通道(in/outlet)。所述盖板上蚀刻有介质环并且金属微结构层附着在介质环上，所述衬底上设有金属平面反射镜。本发明中金属阵列微结构采用中心对称的双圆环结构作为金属微结构阵列，具有对极化不敏感和双谐振的特性，并且在双环基础上可以增加谐振环数量实现更高阶的谐振响应，实现多谐振检测。与不加介质环的传感相比，本发明所述传感器的灵敏度提高了25％以上，较之现有传感器，灵敏度更是大幅度的提升，并且结构简单，易于加工和使用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 电子科技大学 |
| 发明人： | 兰峰;罗峰;杨梓强;张雅鑫;史宗君;张伟豪;安思哲 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810189049.4 |
| 公开号： | CN108507969A |
| 代理机构： | 电子科技大学专利中心 51203 |
| 代理人： | 陈一鑫 |
| 分类号： | G01N21/3581(2014.01)I;B81B1/00(2006.01)I;G;B;G01;B81;G01N;B81B;G01N21;B81B1;G01N21/3581;B81B1/00 |
| 申请人地址： | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 |
| 主权项： | 1.一种基于带隙等离子体谐振的高灵敏度太赫兹微流传感器，该传感器包括：盖板、设置于盖板下方的介质环单元、附着于介质环单元上的金属谐振单元、衬底、设置于衬底上的金属反射镜、金属反射镜与金属谐振单元之间设置的微流通道、衬底上设置微流通道的进液口和出液口，所述微流体通道通过盖板与衬底密封，所述介质槽及金属谐振单元阵列设置于盖板下方。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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