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一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明提供了一种表面增强拉曼散射基底及制备方法和应用。所述方法包括：对硅衬底依次进行清洗和疏水性处理；在所述硅衬底上形成聚合物层；采用紫外激光干涉光刻在所述聚合物层上形成纳米方块阵列结构；采用感应耦合等离子刻蚀所述聚合物层纳米方块阵列结构，以转移形成硅纳米方块结构；镀金属活性层在所述硅纳米方块结构上，得到所述的SERS基底。本发明所使用的方法工艺简便、成本低，可以快速大面积的制备，且该SERS基底上的周期性金纳米方块结构端点处尖锐，结构尖端之间的间隙大小可控，有利于拉曼信号的增强，非常适用于大规模生产应用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 华南师范大学 |
| 发明人： | 杨军星;张渊;胡治朋;黄广飞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810474169.9 |
| 公开号： | CN108827933A |
| 代理机构： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
| 代理人： | 雷月华 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
| 申请人地址： | 510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院 |
| 主权项： | 1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：(1)将衬底依次进行清洗和疏水性处理；(2)将光敏性聚合物旋涂于衬底上形成聚合物层，所述聚合物层的平均厚度为50nm～2um；(3)采用激光干涉光刻在聚合物层上形成纳米阵列结构；(4)采用干法刻蚀工艺将步骤(3)所述纳米阵列结构转移到下方衬底上，以得到衬底表面纳米阵列结构；(5)在步骤(4)制得的衬底表面纳米阵列结构顶部镀制金属活性材料，得到所述表面增强拉曼散射基底，所述金属活性材料的厚度为1nm～500nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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