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基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法
| 专利名称： | 基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法，括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的SnO2薄膜和位于SnO2薄膜上方的β‑Ga2O3纳米柱阵列；SnO2薄膜位于β‑Ga2O3纳米柱阵列和柔性玻璃纤维布衬底，SnO2薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间接触面形成异质结；所述Ti/Au电极包括两个，其中一个位于SnO2薄膜上方，另一个位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方。本发明的气敏传感器件，具有三维空间异质结界面结构，气敏特性稳定，柔性可弯曲，工作温度和功耗低，可用于柔性可穿戴VOC气体检测，在室内甲醛气体、糖尿病患者丙酮含量以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 杨丽娜 |
| 发明人： | 杨丽娜 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810535322.4 |
| 公开号： | CN108535337A |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 322207 浙江省金华市浦江县仙华街道十里亭金冠样一区63号 |
| 主权项： | 1.一种基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，包括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的SnO2薄膜和位于SnO2薄膜上方的β‑Ga2O3纳米柱阵列；SnO2薄膜位于β‑Ga2O3纳米柱阵列和柔性玻璃纤维布衬底，SnO2薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间接触面形成异质结；所述Ti/Au电极包括两个，其中一个位于SnO2薄膜上方，另一个位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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