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用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统
| 专利名称： | 用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统。所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值；根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值。通过上述方式可确定能够提升待处理光学元件性能的预处理能量密度范围，进而便于通过对待处理光学元件进行预辐照减小材料疵病及减小损伤前驱尺寸，从而提高对待处理光学元件的激光损伤阈值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 发明人： | 李亚国;许乔;刘志超;耿锋;金会良;欧阳升;王度;袁志刚;张清华;朱德星;王健 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811045738.4 |
| 公开号： | CN109115684A |
| 代理机构： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
| 代理人： | 徐彦圣 |
| 分类号： | G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 610000 四川省成都市武侯区科园一路3号 |
| 主权项： | 1.一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法，其特征在于，所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值；根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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