原文传递
一种高敏感度NO2气体传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种高敏感度NO2气体传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种高敏感度NO2气体传感器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一锗基底；于锗基底的上表面形成一石墨烯层，并于石墨烯层的上表面生长锗量子点；于生长有锗量子点的石墨烯层上表面形成第一电极和第二电极，其中，第一电极和第二电极之间具有一沟道，且第一电极和第二电极沿沟道的中心呈对称分布；以及对裸露在外的锗量子点和石墨烯层进行刻蚀，以保留沟道处的锗量子点和石墨烯层，同时去除位于沟道以外的锗量子点和石墨烯层，实现于锗基底上制备高敏感度NO2气体传感器。通过本发明解决了传统NO2气体传感器存在选择性差的问题，同时提供了一种锗衬底上石墨烯制备高敏感度气体传感器的简单方法。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 杭州电子科技大学 |
| 发明人： | 董林玺;郑鹏荣;狄增峰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810809381.6 |
| 公开号： | CN109142467A |
| 代理机构： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 |
| 代理人： | 周希良 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 主权项： | 1.一种高敏感度NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1）提供一锗基底；步骤2）于所述锗基底的上表面形成一石墨烯层，并于所述石墨烯层的上表面生长锗量子点；步骤3）于生长有锗量子点的石墨烯层上表面形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有一沟道，且所述第一电极和所述第二电极沿所述沟道的中心呈对称分布；以及步骤4）对裸露在外的所述锗量子点和所述石墨烯层进行刻蚀，以保留所述沟道处的所述锗量子点和所述石墨烯层，同时去除位于所述沟道以外的所述锗量子点和所述石墨烯层，实现于所述锗基底上制备高敏感度NO2气体传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
相关文献
检索历史
应用推荐
