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一种基于CsPbBr3钙钛矿量子点-分子印迹荧光传感器的辛硫磷的检测方法
| 专利名称： | 一种基于CsPbBr3钙钛矿量子点-分子印迹荧光传感器的辛硫磷的检测方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器的辛硫磷的检测方法，包括以下步骤：S1：CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器的制备；S2：绘制“荧光淬灭强度–辛硫磷浓度”标准工作曲线，算出工作方程；S3：测定样品中的辛硫磷的含量。本发明的检测方法利用了一种以CsPbBr3量子点为信号元件，再包裹上以N‑苯基‑N’‑(3‑(三乙氧硅基)丙基)脲(BUPTEOS)作为多功能单体的分子印迹聚合物层的具有对辛硫磷灵敏识别功能的CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器，实现了对辛硫磷高选择性、高灵敏性的检测。本发明的检测方法对辛硫磷的线性检测范围为5‑100ng/mL，线性相关系数为0.9980，检测限为1.45ng/mL，检测精密度为4.0％(RSD)。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 佛山科学技术学院 |
| 发明人： | 陈忻;陈晓刚;梁勇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810778044.5 |
| 公开号： | CN109142289A |
| 代理机构： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
| 代理人： | 林玉芳 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇仙溪水库西路佛山科学技术学院 |
| 主权项： | 1.一种基于CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器的辛硫磷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器的制备首先，由油酸铯溶液加入十八烯(ODE)、油酸(OA)、油胺(OAm)和溴化铅(PbBr2)形成CsPbBr3钙钛矿量子点；然后，由模板分子辛硫磷、十八烯、所述CsPbBr3钙钛矿量子点和N‑苯基‑N’‑(3‑(三乙氧硅基)丙基)脲(BUPTEOS)形成CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹聚合物；最后，将所述CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹聚合物中的所述模版分子辛硫磷洗脱，得到CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器；S2：绘制“荧光淬灭强度–辛硫磷浓度”标准工作曲线，算出工作方程将步骤S1所制得的CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器分散在溶剂中，再分别与一系列浓度梯度的辛硫磷溶液混合，在温度为15‑30℃条件下，反应时间为5‑40分钟，测试其在520nm处的荧光强度；根据辛硫磷浓度和520nm处的荧光强度，绘制“荧光淬灭强度–辛硫磷浓度”标准工作曲线，算出工作方程；S3：测定样品中的辛硫磷的含量将步骤S1所制得的CsPbBr3钙钛矿量子点‑分子印迹荧光传感器分散在溶剂中，再与样品溶液混合，在温度为15‑30℃条件下，反应时间为5‑40分钟，测试其在520nm处的荧光强度；将所得荧光强度数值带入所述工作方程得到样品中的辛硫磷的含量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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