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原文传递 一种Ta/Ni微腔阵列薄膜及其制备方法
专利名称: 一种Ta/Ni微腔阵列薄膜及其制备方法
摘要: 本发明公开了一种Ta/Ni微腔阵列薄膜,包括导电衬底,所述导电衬底上设有Ni层,所述Ni层上设有Ta层;所述Ni层上设有多个有序排列的碗状孔,碗状孔开口朝上;所述Ta层具有碗状壳和设于碗状壳顶部的顶盖,碗状壳和顶盖合围形成微腔,所述碗状壳与碗状孔相对应,所述顶盖中部设有圆孔。还公开了一种Ta/Ni微腔阵列薄膜的制备方法,采用电解法在导电衬底上制得Ni层,采用磁控溅射法在Ni层上制得具有微腔结构的Ta层。Ta层的微腔结构有利于实现微溶液的存储和限域反应,增加薄膜的比表面积,有利于提高电化学分析时的灵敏度,制备方法工艺简单,成本低,生产效率高。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 重庆;50
申请人: 西南大学
发明人: 赵建伟;秦丽溶;赵敏;贾宏亮
专利状态: 有效
申请号: CN201810966578.0
公开号: CN109239146A
代理机构: 重庆华科专利事务所 50123
代理人: 徐先禄
分类号: G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 400715 重庆市北碚区天生路2号
主权项: 1.一种Ta/Ni微腔阵列薄膜,包括导电衬底,其特征在于:所述导电衬底(1)上设有Ni层(2),所述Ni层上设有Ta层;所述Ni层(2)上设有多个有序排列的碗状孔,碗状孔开口朝上;所述Ta层具有碗状壳(3)和设于碗状壳顶部的顶盖(4),碗状壳和顶盖合围形成微腔,所述碗状壳与碗状孔相对应,所述顶盖中部设有圆孔(5)。
所属类别: 发明专利
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