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一种氨苄西林电致化学发光传感器的制备方法及应用
| 专利名称： | 一种氨苄西林电致化学发光传感器的制备方法及应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氨苄西林电致化学发光传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了镍铁双金属氧化物纳米片阵列，利用其大的比表面积采用原位生长的方法，相继在镍铁双金属氧化物纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以氨苄西林为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种氨苄西林电致化学发光传感器便制备完成。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 济南大学 |
| 发明人： | 张勇;程荣琦;魏琴 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811306712.0 |
| 公开号： | CN109254055A |
| 代理机构： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 |
| 代理人： | 高强 |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
| 主权项： | 1.一种氨苄西林电致化学发光传感器的制备方法，其特征在于，所述的氨苄西林电致化学发光传感器由镍铁双金属氧化物纳米片阵列电极NiFeO‑nanoarray上原位生长无模板分子分子印迹聚合物NIP得到的；所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP是不含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的不含有模板分子的分子印迹聚合物是由含模板分子分子印迹聚合物MIP经过洗脱模板分子得到的；所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的模板分子是氨苄西林。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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