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抗干扰性能的电化学晶体管传感器及其抗干扰方法、应用
| 专利名称： | 抗干扰性能的电化学晶体管传感器及其抗干扰方法、应用 |
| 摘要： | 本发明涉及提高电化学晶体管传感器的抗干扰性能的方法，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管，将沟道或栅极分离以屏蔽电化学晶体管传感器对干扰物质的响应。本发明涉及的电化学晶体管传感器的优化方法具有在不影响器件对待测物质的响应的同时屏蔽掉干扰物质的响应的特点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 湖北大学 |
| 发明人： | 常钢;周扬;何云斌;何汉平;蔡志伟;马明宇;陶甜 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811209485.X |
| 公开号： | CN109270148A |
| 代理机构： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
| 代理人： | 张秋燕 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
| 主权项： | 1.提高电化学晶体管传感器的抗干扰性能的方法，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管，将沟道或栅极分离以屏蔽电化学晶体管传感器对干扰物质的响应。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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