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多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器
| 专利名称： | 多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器，在激励线圈和检测线圈之间使用三层分别由高磁导率和高电导率的材料所制成的屏蔽层作为直接耦合能量的隔离装置，使得直接耦合能量被束缚在屏蔽层内，屏蔽层外间接耦合能量占主要部分，通过检测线圈即可检测到远场信号。本发明使用三层电磁屏蔽装置，在铁磁性平板中产生远场涡流现象，使得检测深度更深，实现亚表面缺陷的检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 四川沐迪圣科技有限公司 |
| 发明人： | 高斌;杨昌荣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811438240.4 |
| 公开号： | CN109270162A |
| 代理机构： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
| 代理人： | 温利平;陈靓靓 |
| 分类号： | G01N27/90(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 610036 四川省成都市高新区紫瑞大道292号1层 |
| 主权项： | 1.一种多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器，其特征在于包括激励线圈、第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和检测线圈，5个部件的中轴线均相同，其中：激励线圈为空心圆柱型结构，设置有两根引线作为外部激励信号的接口，记其内径为d11，外径为d12，高度为h1；第一屏蔽层由高磁导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第一屏蔽层的内径为d21且d21＝d12，外径为d22，内高为h21，外高为h22；第二屏蔽层由高电导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第二屏蔽层的内径为d31，外径为d32，内高为h31，外高为h32，其中d31＞d22，h31＞h22；第二屏蔽层和第一屏蔽层采用绝缘粘合剂进行粘合固定；第三屏蔽层由高磁导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第三屏蔽层4的内径为d41，外径为d42，内高为h41，外高为h42，其中d41＞d32，h41＞h32；第三屏蔽层和第二屏蔽层采用绝缘粘合剂进行粘合固定，检测线圈为空心圆柱型结构，由导线绕制在第三屏蔽层上而成，设置有两根引线作为后续的信号处理模块接口。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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