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SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用
| 专利名称： | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 |
| 摘要： | 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 发明人： | 刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;杨成樾;田晓丽;陈宏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811349529.9 |
| 公开号： | CN109283298A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 崔亚松 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33 |
| 申请人地址： | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |
| 主权项： | 1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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