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一种低碳钢淬火态原奥氏体晶界的显示方法
| 专利名称： | 一种低碳钢淬火态原奥氏体晶界的显示方法 |
| 摘要： | 一种低碳钢淬火态原奥氏体晶界的显示方法，属于钢中原奥氏体晶界的物理检测技术领域。具体步骤及参数为：首先准备样品，样品为低碳钢淬火态试样，C≤0.1wt％，获得的抛光表面进行面扫描；电镜参数设置为加速电压15kV～20kV等；扫描参数的设置中步长的设置原则是不大于平均晶粒尺寸的十分之一；面扫描结束后数据结果进行处理，通过对马氏体板条束与原奥氏体的晶界取向差进行分析，得到晶界取向差取值范围为20～50°，由此计算出原奥氏体晶粒的尺寸。优点在于，通过本方法准确的计算出原奥氏体晶粒的尺寸，为研究相变过程中的组织演变提供重要理论依据。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 首钢集团有限公司 |
| 发明人： | 崔桂彬;鞠新华;尹立新;孟杨;严春莲 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811289041.1 |
| 公开号： | CN109283103A |
| 代理机构： | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 |
| 代理人： | 王普玉 |
| 分类号： | G01N15/02(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N15 |
| 申请人地址： | 100041 北京市石景山区石景山路68号 |
| 主权项： | 1.一种低碳钢淬火态原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于，具体步骤及参数如下：1)样品准备：样品为低碳钢淬火态试样，C≤0.1wt％，并且保证上下表面平行，通过对表面电解抛光去除残留应力，抛光表面进行面扫描；2)电镜参数的设置：为了获得清晰的菊池花样，需要对电镜的参数进行设置，根据EBSD分析，电镜参数设置为加速电压15kV～20kV，束流1～10nA，工作距离WD为13～17mm；3)扫描参数的设置：步长的设置原则是不大于平均晶粒尺寸的十分之一，采集时间为大于等于1小时；4)数据后处理分析：面扫描结束后，对数据结果进行处理，用EBSD分析软件对面扫描结果进行再处理，首先去除视场中的零解点、再去除奇异点和误标点，获得以马氏体为基体的花样质量图，通过对晶界取向差的取值范围0～62.5°进行调整，选取晶界取向差的取值范围，进而勾勒出原奥氏体晶粒的轮廓；通过对马氏体板条束与原奥氏体的晶界取向差进行分析，得到晶界取向差取值范围为20～50°，由此计算出原奥氏体晶粒的尺寸。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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