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一种基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极及其制备方法
| 专利名称： | 一种基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极及其制备方法。该基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极包括：PDMS为基底，银纳米线为导电层，纳米金颗粒为电化学沉积层，所述纳米金颗粒沉积在银纳米线上。本发明银纳米线/纳米金复合电极，具有低电阻、高机械性能的特点，电阻范围：0.5Ωsq‑1～11Ωsq‑1，在弯折500次后电阻范围：0.9Ωsq‑1～16Ωsq‑1，拉伸100次后电阻范围：0.8Ωsq‑1～10Ωsq‑1，其性能在同行业中处于领先水平，在电子元件的小型化和集成化中具有很好的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 辽宁;21 |
| 申请人： | 大连大学 |
| 发明人： | 孙晶;甄雪;郑则健;郎明非 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811240192.8 |
| 公开号： | CN109298045A |
| 代理机构： | 大连八方知识产权代理有限公司 21226 |
| 代理人： | 朱秀芬 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 116622 辽宁省大连市开发区学府大街10号 |
| 主权项： | 1.一种基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极，其特征在于，所述的基于PDMS的银纳米线/纳米金复合电极包括：PDMS为基底，银纳米线为导电层，纳米金颗粒为电化学沉积层，所述纳米金颗粒沉积在银纳米线上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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