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电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法
| 专利名称： | 电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法 |
| 摘要： | 一种电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法，属于溶液电导率软测量技术领域。其特征是将电导率的测量转化为考虑引线分布电容影响的电导池一阶等效阻容系统参数的辨识，具体是采用正弦组合信号激励电导池系统，基于激励信号和系统响应信号经高速采样所得到的采样信号，针对所建立的电导池一阶等效阻容系统的时域差分方程模型，启动渐消记忆递推最小二乘法，获得溶液电阻和引线分布电容参数在各个采样时刻的估计值。本发明的效果和益处是抗干扰能力强，估计精度高且完全实时，适用于慢时变情况下溶液电导率的在线测量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 辽宁;21 |
| 申请人： | 大连九州创智科技有限公司;大连理工大学 |
| 发明人： | 张耿霖;张立勇;李霞;苏龙平;杜子兮 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811095688.0 |
| 公开号： | CN109324087A |
| 代理机构： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 |
| 代理人： | 李洪福 |
| 分类号： | G01N27/06(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 116000 辽宁省大连市甘井子区凌水镇七贤岭任贤街16号大连同创谷16#楼二层203 |
| 主权项： | 1.一种电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将电导池等效为考虑引线分布电容影响的一阶阻容系统，建立电导池一阶等效阻容系统的时域差分方程模型y(k)＝a1y(k‑1)+b0u(k)， (4)其中， |
| 所属类别： | 发明专利 |
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