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原文传递 介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法及其产品和应用
专利名称: 介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法及其产品和应用
摘要: 本发明公开了一种介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法及其产品和应用,首先制备介孔二氧化硅,将制备的介孔二氧化硅与碳和氟化石墨烯按比例混合均匀,再加入液态石蜡混合均匀,制成糊状物,将糊状物装入聚四氟乙烯管中压实并在管的一头插入一根铜线作为导线,然后将电极另外一头打磨抛光,从而获得介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极。该方法制备的电极比表面积大,对重金属离子选择性强,灵敏度高,操作简便。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
发明人: 何丹农;阳靖峰;赵昆峰;童琴;代卫国;胡丹;金彩虹
专利状态: 有效
申请号: CN201811591423.X
公开号: CN109342528A
代理机构: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208
代理人: 董梅
分类号: G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 201109 上海市闵行区剑川路468号
主权项: 1.一种介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法,包括如下步骤:将介孔二氧化硅/碳/氟化石墨烯按质量比例为(0.05~0.3):(0.4~0.9):(0.05~0.3)比例混合均匀,再加入液态石蜡混合均匀,制成糊状物,将糊状物装入聚四氟乙烯管中压实并在管的一头插入一根铜线作为导线,然后将未插入的一头打磨抛光,从而获得介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极。
所属类别: 发明专利
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