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基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片
| 专利名称： | 基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，该芯片上层由周期性排布的纳米介质柱簇构成，下层为介质基底；上层的折射率大于下层；芯片的集体磁偶极共振波长和集体电偶极共振波长满足其中一个等于荧光标记物的激发波长，另一个等于荧光标记物的辐射波长。周期性排布的纳米介质柱簇中，每个周期单元形状为相同尺寸的正方形或者正六边形；每个周期单元中包含四个相同尺寸的纳米介质柱。本发明同时从增强激发光局域场、提高辐射量子效率和提高荧光收集效率三个方面增强荧光信号，大大提高了荧光标记物检测灵敏度。整个芯片设置在低折射率基底上，其具有低材料损耗、制备简单，且可以改变结构尺寸工作在不同波段内的优势。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江大学 |
| 发明人： | 何赛灵;龚晨晟 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811544525.6 |
| 公开号： | CN109374591A |
| 代理机构： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
| 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
| 主权项： | 1.一种基于全介质人工微结构超表面的荧光增强芯片，其特征在于，芯片分为两层，上层由周期性排布的纳米介质柱簇构成，下层为介质基底；上层的折射率大于下层；在芯片表面涂敷有通过荧光标记物标记的待测物质；芯片的集体磁偶极共振波长λ1和集体电偶极共振波长λ2满足其中一个等于荧光标记物的激发波长，另一个等于荧光标记物的辐射波长。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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