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一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 华中科技大学;中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 发明人： | 刘欢;杨剑弦;杨书琴;罗勰;刘竞尧;胡志响 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811299535.8 |
| 公开号： | CN109374687A |
| 代理机构： | 华中科技大学专利中心 42201 |
| 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
| 主权项： | 1.一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，该方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下利用焦耳热对该NiO纳米晶薄膜进行热处理3～5个小时；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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