原文传递
制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器
| 专利名称： | 制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器。公开了一种用于制造ISE半电池(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中；从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3)；对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂，由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4)；以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。本发明还公开了一种根据此种方法制造的ISE半电池(1)。本发明还公开了包括几个此种ISE半电池(1)的传感器(21)和多参数传感器(25)。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 德国;DE |
| 申请人： | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 |
| 发明人： | 霍尔姆·佩措尔德;延斯·费特曼;埃里克·亨宁斯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810914486.8 |
| 公开号： | CN109387551A |
| 代理机构： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
| 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 德国盖林根 |
| 主权项： | 1.一种用于制造ISE半电池(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中，从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3)，对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂，由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4)，以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
