专利名称: |
制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器 |
摘要: |
本发明涉及制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器。公开了一种用于制造ISE半电池(1)的方法,所述方法包括以下步骤:将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中;从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3);对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂,由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4);以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。本发明还公开了一种根据此种方法制造的ISE半电池(1)。本发明还公开了包括几个此种ISE半电池(1)的传感器(21)和多参数传感器(25)。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
德国;DE |
申请人: |
恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 |
发明人: |
霍尔姆·佩措尔德;延斯·费特曼;埃里克·亨宁斯 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201810914486.8 |
公开号: |
CN109387551A |
代理机构: |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人: |
穆森;戚传江 |
分类号: |
G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
德国盖林根 |
主权项: |
1.一种用于制造ISE半电池(1)的方法,所述方法包括以下步骤:将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中,从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3),对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂,由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4),以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。 |
所属类别: |
发明专利 |