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一种基于晶格常数渐变型的多模式椭圆孔一维光子晶体纳米束双参量传感器
| 专利名称： | 一种基于晶格常数渐变型的多模式椭圆孔一维光子晶体纳米束双参量传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶格常数渐变型多模式椭圆孔一维光子晶体纳米束双参量传感器，属光子晶体传感技术领域。基于矩形硅波导首次引入晶格常数渐变的椭圆孔，晶格常数从波导中心到两侧逐渐增加，构成多模式一维光子晶体纳米束传感器，基模Q值大于1.5×105，一阶模Q值大约14696，FSR大约44.75nm。不同模式的电场分布不同，基模折射率灵敏度、一阶模折射率灵敏度、基模温度灵敏度和一阶模温度灵敏度构成传感矩阵满秩，实现温度折射率同时传感。相比传统光子晶体纳米束传感器，本发明实现了双参量同时检测，适用范围更广，可行性更高。相比其他双参量传感器，该发明结构尺寸仅为12μm×0.7μm×0.22μm(长×宽×高)，尺寸大大减小，更有利于集成化。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京邮电大学 |
| 发明人： | 田慧平;王佳文;孙富君;付中原;王铮 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811242183.2 |
| 公开号： | CN109470651A |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100876 北京市海淀区西土城路10号 |
| 主权项： | 1.提出一种晶格常数渐变型的多模式椭圆孔一维光子晶体纳米束传感器。在硅(Si)波导上，刻蚀关于波导中心对称的晶格常数渐变的椭圆形孔，以构成多模式的光子晶体纳米束腔。其中，硅波导的折射率为3.48，宽度(w)为700nm，厚度为220nm，椭圆孔长轴尺寸(Ey)为500nm，短轴尺寸(Ex)为200nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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