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适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法
| 专利名称： | 适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法 |
| 摘要： | 本发明公开了适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，包括声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法及声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，其中，所述压电陶瓷型声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层与信号传输线组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层具有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线的屏蔽层与正极面屏蔽层导通从而共同实现对噪声与干扰的抑制功能。本发明的方法可实现为超薄化、阵列化、抗强噪声干扰与高灵敏度的声发射传感器的研制提供抗干扰降噪技术方案。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 发明人： | 梁晓辉;王胜男;温茂萍;付涛;田昕 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811549267.0 |
| 公开号： | CN109490421A |
| 代理机构： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
| 代理人： | 郭会 |
| 分类号： | G01N29/14(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N29 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市绵山路64号 |
| 主权项： | 1.适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，包括声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法及声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，其中，所述压电陶瓷型声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层与信号传输线组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层具有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线的屏蔽层与正极面屏蔽层导通从而共同实现对噪声与干扰的抑制功能。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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