专利名称: |
SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法 |
摘要: |
一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法,包括:提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品,所述SiC衬底样品由SiC氧化获得;将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中,对所述SiC衬底样品匀速加热,不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应,生成C16O和C18O,并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中;检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流;分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型;分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系,确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制,利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。本发明的测试方法操作简单,准确度高,为表征和筛选合格碳杂质浓度的SiC衬底提供了新的思路。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
中国科学院微电子研究所 |
发明人: |
刘新宇;王盛凯;白云;韩忠霖;汤益丹;田晓丽;陈宏;杨成樾 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811349359.4 |
公开号: |
CN109540969A |
代理机构: |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人: |
崔亚松 |
分类号: |
G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |
主权项: |
1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法,其特征在于,包括:提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品,所述SiC衬底样品由SiC氧化获得;将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中,对所述SiC衬底样品匀速加热,不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应,生成C16O和C18O,并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中;检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流;分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型;分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系,确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制,利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。 |
所属类别: |
发明专利 |