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SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法
| 专利名称： | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法 |
| 摘要： | 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。本发明的测试方法操作简单，准确度高，为表征和筛选合格碳杂质浓度的SiC衬底提供了新的思路。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 发明人： | 刘新宇;王盛凯;白云;韩忠霖;汤益丹;田晓丽;陈宏;杨成樾 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811349359.4 |
| 公开号： | CN109540969A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 崔亚松 |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |
| 主权项： | 1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，其特征在于，包括：提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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