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一种空间氢原子富集装置及其制备方法
| 专利名称： | 一种空间氢原子富集装置及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种空间氢原子富集装置及其制备方法，与传统的富集装置相比，该富集器气流方向垂直于膜片，可以增大氢原子与富集器的接触面积，极大的改善了氢原子的吸附量；该氢富集装置采用多层结构，每一层均匀设有通孔，平行放置且相邻两层的通孔错位排布，迫使气流更多地沿每一层流动，增加了氢原子吸附的几率；该氢富集装置能在更小的功耗下获得更快的升温速率，从而显著地提高富集效率；因此，该富集装置具有体积小、热容量小、热效率高、升温速率快、功耗低、易于集成、吸附效率高等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 甘肃;62 |
| 申请人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 发明人： | 杨生胜;张剑锋;黄一凡;薛玉雄;庄建宏;苗育君;郭兴;把得东;张晨光;乔佳;王光毅 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811140244.4 |
| 公开号： | CN109540646A |
| 代理机构： | 北京理工大学专利中心 11120 |
| 代理人： | 李微微;仇蕾安 |
| 分类号： | G01N1/40(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1 |
| 申请人地址： | 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |
| 主权项： | 1.一种空间氢原子富集装置，其特征在于，包括平行放置的多层富集器；每层富集器包括基底(1)、吸氢薄膜(5)、加热电阻(4)以及电极(2)；基底(1)上分布有通孔(3)的阵列，吸氢薄膜(5)镀至基底(1)上，且在基底(1)通孔位置设有相同的开孔；相邻两层富集器上的通孔(3)互相错开；所述加热电阻(4)呈蛇形回线形状分布在所述基底(1)上，用于保证富集装置工作温度在20℃～50℃的范围内，并用于富集装置氢富集完成后脱氢；加热电阻(4)的两端各通过一个电极(2)连接电源的正负极，以获取电能。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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