专利名称: |
汽车防破坏报警电路 |
摘要: |
本发明提供汽车防破坏报警电路,其包括电阻R1、红外反射式传感器U1、NPN三极管Q2、N沟道MOSFET Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、蜂鸣器BUZ1。本发明将红外反射式传感器U1安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1使得红外反射式传感器U1发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2导通,N沟道MOSFET Q1导通,发光二极管D1和蜂鸣器BUZ1发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1接收端截止,继而NPN三极管Q2截止,N沟道MOSFET Q1截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
云南;53 |
申请人: |
昆明理工大学津桥学院 |
发明人: |
熊浩;肖丞峰;温长康;马家明 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-22T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-07-30T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910425946.5 |
公开号: |
CN110065472A |
分类号: |
B60R25/31(2013.01);B;B60;B60R;B60R25 |
申请人地址: |
650106 云南省昆明市五华区高新技术开发区海源北路1268号昆明理工大学津桥学院 |
主权项: |
1.汽车防破坏报警电路,其特征在于:包括电阻R1(1)、红外反射式传感器U1(2)、NPN三极管Q2(3)、N沟道MOSFET Q1(4)、电阻R2(5)、电阻R3(6)、电阻R4(7)、发光二极管D1(8)、蜂鸣器BUZ1(9);所述红外反射式传感器U1(2)安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1(1)使得红外反射式传感器U1(2)发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1(2)接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2(3)导通,N沟道MOSFET Q1(4)导通,发光二极管D1(8)和蜂鸣器BUZ1(9)发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1(2)接收端截止,继而NPN三极管Q2(3)截止,N沟道MOSFET Q1(4)截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。 2.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述+12VDC接电阻R1(1)上端、红外反射式传感器U1(2)接收端C极、NPN三极管Q2(3)C极;所述红外反射式传感器U1(2)发射端A极接电阻R1(1)下端;所述红外反射式传感器U1(2)发射端K极接地;所述红外反射式传感器U1(2)接收端E极接NPN三极管Q2(3)基极、电阻R2(5)上端;所述NPN三极管Q2(3)发射极接电阻R3(6)上端、N沟道MOSFET Q1(4)栅极;所述+24VDC接N沟道MOSFET Q1(4)漏极;所述N沟道MOSFET Q1(4)源极接电阻R4(7)上端、蜂鸣器BUZ1(9)上端;所述电阻R4(7)下端接发光二极管D1(8)阳极;所述地接蜂鸣器BUZ1(9)下端、发光二极管D1(8)阴极。 3.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述红外反射式传感器U1(2)的型号为E8-D50NK。 4.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述NPN型三极管Q2(3)的型号为2N2926。 5.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述N沟道MOSFET Q1(4)的型号为BUZ10。 |
所属类别: |
发明专利 |