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原文传递用于检测气体组分的气体传感器

专利名称：	用于检测气体组分的气体传感器
摘要：	本发明涉及一种用于检测气体组分的气体传感器。所述气体传感器包括传感层、第一电极和第二电极以及加热元件。所述传感层包含20‑95重量％的氧化钨和5‑80重量％的元素钨。氧化钨和元素钨的组合占所述传感层的至少60重量％。本发明进一步涉及制造气体传感器的方法，其包括通过物理气相沉积来沉积传感层的步骤。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	荷兰;NL
申请人：	荷兰联合利华有限公司
发明人：	G·穆拉利达拉恩;A·普拉马尼克;N·R·巴特;V·U·米什拉;S·穆图卡纳安
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-02T00:00:00+0800
申请号：	CN201780071871.4
公开号：	CN110088607A
代理机构：	永新专利商标代理有限公司
代理人：	谭邦会
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	荷兰鹿特丹
主权项：	1.一种用于检测气体组分的气体传感器(1)，其包括： ·传感层(2)，其包含20-95重量％的氧化钨和5-80重量％的元素钨，氧化钨和元素钨的组合占所述传感层(2)的至少60重量％； ·第一电极和第二电极(3)，所述第一电极和第二电极(3)跨过所述传感层(2)电连接； ·加热元件(4)，其能够将所述传感层(2)加热到至少150℃的温度。 2.根据权利要求1所述的气体传感器(1)，其中所述传感层(2)具有在50-1000nm范围内的厚度。 3.根据权利要求1或2所述的气体传感器(1)，其中所述传感层(2)具有小于50nm的表面粗糙度。 4.根据前述权利要求中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)进一步包括温度传感器(6)，所述温度传感器(6)能够产生指示所述传感层(2)的温度的输出。 5.根据前述权利要求中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)配置成检测选自硫化氢、甲硫醇和二甲基硫醚的一种或多种挥发性含硫化合物。 6.根据权利要求5所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)配置成产生指示与所述传感层(2)直接接触的气体中的一种或多种挥发性含硫化合物浓度的输出。 7.根据权利要求5或6所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)具有对于所述一种或多种挥发性含硫化合物小于50ppb的检测极限。 8.根据权利要求5至7中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)具有对于所述一种或多种挥发性含硫化合物低于10秒的响应时间。 9.根据权利要求5至8中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)具有对于所述一种或多种挥发性含硫化合物低于10秒的恢复时间。 10.根据前述权利要求中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述气体传感器(1)包括层叠物，所述层叠物包括： ·衬底层(5)； ·加热层(4)； ·绝缘层(7)；和 ·所述传感层(2)；其中所述加热层(4)和绝缘层(7)位于衬底层(5)和传感层(2)之间，所述绝缘层(7)位于加热层(4)和传感层(2)之间。 11.根据权利要求10所述的气体传感器(1)，其中所述衬底层是硅晶片。 12.根据权利要求10或11所述的气体传感器(1)，其中所述绝缘层(7)具有2-1000nm的厚度，并且是由二氧化硅制成。 13.根据权利要求10至12中任一项所述的气体传感器(1)，其中所述绝缘层(7)位于毗邻所述传感层(2)处。 14.一种制造根据前述权利要求中任一项所述的气体传感器(1)的方法，所述方法包括通过物理气相沉积(PVD)来沉积所述传感层。 15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法包括通过从钨溅射靶标溅射或通过从氧化钨溅射靶标溅射来沉积所述传感层。
所属类别：	发明专利