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原文传递一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用

专利名称：	一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用
摘要：	本发明涉及超高分辨率荧光显微成像技术领域，具体涉及一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用；本发明所述荧光纳米标尺部件包括基底层和掩模层，所述掩模层的对应位置上间隔设置沟槽，所述沟槽的截面宽度为10‑200nm，掩模沟槽尺寸(宽度)小，从而保证采用所述荧光纳米标尺部件组装的荧光纳米标尺精确，可以满足对超高分辨荧光显微镜的分辨率进行标定测量的要求。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
发明人：	唐玉国;张志强;史国华;蒋克明;周武平;刘聪;张涛;黎海文
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-19T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-06T00:00:00+0800
申请号：	CN201910318120.9
公开号：	CN110095441A
代理机构：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人：	谢楠
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路88号
主权项：	1.一种荧光纳米标尺部件，包括基底(1)和基底上形成的掩模层(2)，所述掩模层包括间隔设置的沟槽(21)，所述沟槽的截面宽度为10-200nm。 2.根据权利要求1所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述沟槽呈等间距排列，所述沟槽的截面宽度为10-150nm；优选的，所述沟槽的深宽比为0.1-20。 3.根据权利要求1或2所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述掩模层的材料选自高熔点金属或紫外可见光不能透射的非金属材料。 4.根据权利要求3所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述高熔点金属选自Ta、Mo、Cr、Ti和Pd中的一种；所述紫外可见光不能透射的非金属材料为Si或高密度碳掺杂的聚合物。 5.根据权利要求1-4任一项所述的荧光纳米标尺部件，其特征在于，所述掩模层的材料为高熔点金属时，所述掩模层的厚度为20-100nm；所述掩模层的材料为Si时，所述掩模层的厚度为100-200nm。 6.一种如权利要求1-5任一项所述荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：处理基底：清洗基底表面；掩模层：形成于所述基底表面；涂布光刻胶：将光刻胶涂布在掩模层上，形成光刻胶模层，厚度为20-500nm；光刻：对光刻胶模层进行图形化，在所述光刻胶模层上形成间隔设置的沟槽的光刻图案，所述沟槽的截面宽度为10-200nm；转移图案：将所述光刻胶膜层的光刻图案转移到所述掩模层上，然后去除光刻胶。 7.一种如权利要求1-5任一项所述荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：处理基底：清洗基底表面；涂布光刻胶：将光刻胶涂布在基底上，形成光刻胶膜层，厚度为20-500nm；光刻：对所述光刻胶模层进行图形化，在所述基底上形成间隔设置的光刻胶纳米线条结构的光刻图案，所述光刻胶纳米线条结构的横切截面宽度为10-200nm；转移图案：将掩模层材料沉积在所述基底上具有所述光刻图案的一面形成掩模层，然后去除光刻胶，将所述光刻图案转移到所述掩模层上。 8.根据权利要求6或7所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，采用电子束光刻的方式对所述光刻胶模层进行图形化，所述电子束光刻的电压为30kV-100kV。 9.根据权利要求6所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，将高熔点金属作为掩模层材料时，通过沉积、溅射或者电子束蒸发于基底上，沉积速度为0.1-0.5nm/s。 10.根据权利要求6所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，将Si作为掩模层材料时，在涂布光刻胶之前，将SOI基底通过HF腐蚀、Si膜水相转移，将Si附着于基底上作为掩模层材料。 11.根据权利要求6、8-10任一项所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，在所述转移图案步骤中，采用RIE或湿法刻蚀技术将光刻胶图案转移到掩模层上。 12.根据权利要求11所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀步骤包括金辅助腐蚀步骤。 13.根据权利要求6-12任一项所述的荧光纳米标尺部件的制备方法，其特征在于，在所述光刻步骤前，所述光刻胶上还涂布一层导电聚合物层或者沉积导电金属层。 14.一种权利要求1-5任一项所述荧光纳米标尺部件或权利要求6-13任一项所述荧光纳米标尺部件制备方法制备的荧光纳米标尺部件在显微荧光分析领域的应用。
所属类别：	发明专利