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原文传递一种低温漂电容式湿度传感器

专利名称：	一种低温漂电容式湿度传感器
摘要：	本发明公开了一种低温漂电容式湿度传感器，包括衬底，衬底上依次设置有绝缘层和第一钝化层，第一钝化层上设置有多晶硅电极，多晶硅电极上方设置有叉指负电极和叉指正电极，叉指正电极表面覆有一层湿度敏感介质；叉指负电极和叉指正电极形成叉指结构，叉指负电极和叉指正电极之间有第一空气层，构成水平电容；叉指正电极与其下方的第二多晶硅电极直接连接，叉指负电极与其下方的第一多晶硅电极之间设置有第二空气层，且第一多晶硅电极上覆有第二钝化层，叉指负电极与第一多晶硅电极构成垂直电容。本发明提供的低温漂电容式湿度传感器，具有温漂低，响应快，面积相对较小，集成化的优点。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南京邮电大学
发明人：	李卫;刘启凡;陈婉翟;任青颖
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-09T00:00:00+0800
申请号：	CN201910352643.5
公开号：	CN110108763A
代理机构：	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	陈国强
分类号：	G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
主权项：	1.一种低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：包括衬底(1)，衬底上依次设置有绝缘层(2)和第一钝化层(3)，第一钝化层(3)上设置有多晶硅电极(4)，多晶硅电极(4)上方设置有叉指负电极(6)和叉指正电极(8)，叉指正电极(8)表面覆有一层湿度敏感介质(7)；叉指负电极(6)和叉指正电极(8)形成叉指结构，叉指负电极(6)和叉指正电极(8)之间有第一空气层(9)，构成水平电容；所述多晶硅电极(4)包括位于叉指负电极(6)下方的第一多晶硅电极(4-1)和位于叉指正电极(8)下方的第二多晶硅电极(4-2)，叉指正电极(8)与其下方的第二多晶硅电极(4-2)直接连接，叉指负电极(6)与其下方的第一多晶硅电极(4-1)之间设置有第二空气层(10)，且第一多晶硅电极(4-1)上覆有第二钝化层(5)，叉指负电极(6)与第一多晶硅电极(4-1)构成垂直电容。 2.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述水平电容及垂直电容为两组，并通过可动梁(14)连接，可动梁(14)分别与两组电容的叉指负电极(6)连接。 3.根据权利要求2所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：还包括级联梁(13)，级联梁(13)与可动梁(14)连接，级联梁(13)为“H”形状，其四个端部均通过锚区(11)与衬底(1)固定。 4.根据权利要求3所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述衬底(1)上具有凹槽，级联梁(13)放置于衬底(1)的凹槽中，并且级联梁(13)与凹槽之间设置有第三空气层(12)。 5.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器，其特征在于：所述衬底(1)的材质为硅。 6.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述叉指负电极(6)和叉指正电极(8)的材质为镍。 7.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述湿度敏感介质(7)的材质为氧化石墨烯。 8.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一钝化层(3)、第二钝化层(5)的材质为氮化硅。 9.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述绝缘层(2)的材质为二氧化硅。
所属类别：	发明专利