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陶瓷管型气体传感器及其制备方法
| 专利名称： | 陶瓷管型气体传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本申请公开了一种陶瓷管型气体传感器及其制备方法。该陶瓷管型气体传感器的制备方法包括：在陶瓷管的表面制备铜金属层；在所述铜金属层的表面生长氧化铜纳米阵列，得到所述陶瓷管型气体传感器。本申请提供的陶瓷管型气体传感器的制备方法通过在陶瓷管表面制备铜金属层并在铜金属层表面生长氧化铜纳米阵列，达到了在陶瓷管表面制备氧化铜纳米阵列以作为气体传感器的目的，解决了现有技术中陶瓷管型气体传感器的制备方法步骤多而繁杂、制备成本高、容易造成浪费、不利于气体响应的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 甘肃;62 |
| 申请人： | 兰州大学 |
| 发明人： | 张振兴;胡强;华晓慧;李艳;刘国 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-13T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910458641.4 |
| 公开号： | CN110118806A |
| 代理机构： | 北京华专卓海知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 张继鑫 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号 |
| 主权项： | 1.一种陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，包括： 在陶瓷管的表面制备铜金属层； 在所述铜金属层的表面生长氧化铜纳米阵列，得到所述陶瓷管型气体传感器。 2.根据权利要求1所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，所述铜金属层的厚度为448.0-998.2nm。 3.根据权利要求1或2所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，采用直流磁控溅射的方法在陶瓷管的表面制备铜金属层。 4.根据权利要求3所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，直流磁控溅射的条件为：在氩气气氛30SCCM、0.8-1.2Pa气压、室温、功率10-20W的条件下溅射30-50min。 5.根据权利要求1所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，在所述铜金属层的表面生长氧化铜纳米阵列的方法包括： 将表面制备了铜金属层的陶瓷管浸入腐蚀液中腐蚀，得到腐蚀后的陶瓷管； 煅烧所述腐蚀后的陶瓷管，得到氧化铜纳米阵列。 6.根据权利要求5所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，所述腐蚀液由氢氧化钠、过硫酸铵和去离子水混合得到，其中，氢氧化钠与去离子水的质量体积比为0.1-0.12g/mL，过硫酸铵与去离子水的质量体积比为0.028-0.032g/mL。 7.根据权利要求5或6所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，腐蚀的时间为30-110min。 8.根据权利要求5所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，在所述铜金属层的表面生长氧化铜纳米阵列的方法还包括： 将腐蚀后的陶瓷管使用无水乙醇和去离子水冲洗； 将冲洗后的陶瓷管进行烘干。 9.根据权利要求5所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法，其特征在于，煅烧温度为150-250℃，升温至煅烧温度的速率为2-6℃/min。 10.一种陶瓷管型气体传感器，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的陶瓷管型气体传感器的制备方法制备得到。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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