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原文传递基于水分的校准的方法和装置

专利名称：	基于水分的校准的方法和装置
摘要：	本公开涉及用于基于水分的校准的方法和装置。具体地，本公开涉及触发物质检测装置的校准的水分监测装置。所描述的公开内容包括使用水分传感器来监视，例如物质检测装置流动循环内气体的水蒸气或湿度含量，并触发智能校准诸如，例如迁移率校准或基于补偿电压的校准。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	拉皮斯坎系统股份有限公司
发明人：	汉·T·莱;威廉·P·普拉托维
专利状态：	有效
申请日期：	2017-12-08T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201780077705.5
公开号：	CN110140048A
代理机构：	北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：	沈丹阳
分类号：	G01N27/62(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	美国加利福尼亚州
主权项：	1.一种物质检测装置，包括：入口，用于接收待测试至少一种关注的物质的存在的样本；电离室，与所述入口流体连通，并且被配置为从所述至少一种关注的物质产生离子；漂移室，与所述电离室流体连通并且被配置为产生的离子；以及，至少一个水分传感器。 2.根据权利要求1所述的物质检测装置，还包括干燥器、离子收集器、掺杂室、管道系统、与干燥器流体连通的气体管线、与掺杂室流体连通的气体管线和排气出口中的至少一个。 3.根据权利要求2所述的物质检测系统，其中，所述至少一个水分传感器位于所述入口、所述漂移室、所述电离室、所述干燥器、所述离子收集器、所述掺杂室、所述管道系统、与所述干燥器流体连通的气体管线、与所述掺杂室流体连通的气体管线和所述排气出口中的至少一个内。 4.根据权利要求1所述的物质检测装置，还包括至少一个预定检测库。 5.根据权利要求1所述的物质检测系统，其中，所述装置包括离子迁移谱仪(IMS)、离子阱迁移谱仪(ITMS)、漂移光谱仪(DS)、非线性漂移光谱仪、场离子光谱仪(FIS)、射频离子迁移增量光谱仪(IMIS)、场非对称离子迁移光谱仪(FAFMS)、超高场FAFMS、差分离子迁移光谱仪(DFMS)和差分迁移光谱仪(DMS)、行波离子迁移谱仪、半导体气体传感器、拉曼光谱仪、激光二极管检测器、质谱仪(MS)、电子捕获检测器、光电离检测器、基于化学发光的检测器、电化学传感器、红外光谱仪、片上实验室检测器及其组合中的至少一个。 6.一种用于校准物质检测装置的方法，所述方法包括：测量物质检测装置内的水分含量；报告所述水分含量；以及执行校准，其中，所述校准调整至少一种关注的物质的迁移率值、漂移时间值和补偿电压中的至少一个。 7.根据权利要求6所述的方法，其中，当所述水分含量大于约5ppm时，执行所述校准。 8.根据权利要求6所述的方法，其中，当所述水分含量为约5ppm至约5000ppm时，执行所述校准。 9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述水分含量是用位于所述物质检测装置内的至少一个水分传感器测量的。 10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述校准是通过将样本插入所述物质检测装置中、测量所述样本的所述至少一个迁移率值和所述漂移时间值的任何移动、以及通过测量的移动量来调整所述关注的物质的所述至少一个迁移率值和所述漂移时间值来执行的。 11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述物质检测装置包括离子迁移谱仪(IMS)、离子阱迁移谱仪(ITMS)、漂移光谱仪(DS)、非线性漂移光谱仪、场离子光谱仪(FIS)、射频离子迁移增量光谱仪(IMIS)、场非对称离子迁移光谱仪(FAFMS)、超高场FAFMS、差分离子迁移光谱仪(DEVIS)和差分迁移光谱仪(DMS)、行波离子迁移谱仪、半导体气体传感器、拉曼光谱仪、激光二极管检测器、质谱仪(MS)、电子捕获检测器、光电离检测器、基于化学发光的检测器、电化学传感器、红外光谱仪、片上实验室检测器及其组合中的至少一个。 12.一种用于检测关注的物质的方法，所述方法包括：收集关注的物质的样本；将所述关注的物质的样本插入物质检测装置中，其中，所述装置包括用于接收待测试至少一种关注的物质的存在的样本的入口、与所述入口流体连通并配置为从所述至少一种关注的物质产生离子的电离室、与所述电离室流体连通的漂移室、至少一个水分传感器以及与处理器电连通的检测器；使用所述至少一个水分传感器，测量所述装置内的水分含量，并将水分含量值发送到所述处理器；使用所述处理器，将所述关注的物质的迁移率值、漂移时间值和补偿电压中的至少一个与预定的迁移率值、漂移时间值或补偿电压进行比较；以及识别所述关注的物质。 13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述预定的迁移率值、漂移时间值或补偿电压位于至少一个预定检测库中。 14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定的迁移率值、漂移时间值或补偿电压位于三个不同的预定检测库之一中。 15.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述物质检测装置的水分含量为约5ppm至约50ppm时，第一检测库用于比较。 16.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述物质检测装置的水分含量为约50ppm至约500ppm时，第二检测库用于比较。 17.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述物质检测装置的水分含量为约500ppm至约5000ppm时，第三检测库用于比较。 18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述物质检测装置包括离子迁移谱仪(IMS)、离子阱迁移谱仪(ITMS)、漂移光谱仪(DS)、非线性漂移光谱仪、场离子光谱仪(FIS)、射频离子迁移增量光谱仪(IMIS)、场非对称离子迁移光谱仪(FAIMS)、超高场FAIMS、差分离子迁移光谱仪(DEVIS)和差分迁移光谱仪(DMS)、行波离子迁移谱仪、半导体气体传感器、拉曼光谱仪、激光二极管检测器、质谱仪(MS)、电子捕获检测器、光电离检测器、基于化学发光的检测器、电化学传感器、红外光谱仪、片上实验室检测器及其组合中的至少一个。 19.一种用于维护物质检测装置的方法，所述方法包括：测量物质检测装置内的水分含量，其中，所述装置包括至少一个水分传感器；以及维护所述物质检测装置。 20.根据权利要求19所述的方法，其中，维护所述物质检测装置包括降低所述装置内的水分含量。 21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述装置内的水分含量大于约5000ppm。 22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述物质检测装置包括离子迁移谱仪(IMS)、离子阱迁移谱仪(ITMS)、漂移光谱仪(DS)、非线性漂移光谱仪、场离子光谱仪(FIS)、射频离子迁移增量光谱仪(IMIS)、场非对称离子迁移光谱仪(FAIMS)、超高场FAIMS、差分离子迁移光谱仪(DEVIS)和差分迁移光谱仪(DMS)、行波离子迁移谱仪、半导体气体传感器、拉曼光谱仪、激光二极管检测器、质谱仪(MS)、电子捕获检测器、光电离检测器、基于化学发光的检测器、电化学传感器、红外光谱仪、片上实验室检测器及其组合中的至少一个。 23.一种用于检测物质检测装置中的泄漏的方法，所述方法包括：测量物质检测装置内的水分含量，其中，所述装置包括至少一个水分传感器；以及识别所述物质检测装置内的泄漏。 24.根据权利要求23所述的方法，还包括维护所述物质检测装置。 25.根据权利要求23的方法，其中，所述水分含量大于约5000ppm。 26.根据权利要求23所述的方法，其中，所述物质检测装置包括离子迁移谱仪(IMS)、离子阱迁移谱仪(ITMS)、漂移光谱仪(DS)、非线性漂移光谱仪、场离子光谱仪(FIS)、射频离子迁移增量光谱仪(FMIS)、场非对称离子迁移光谱仪(FAFMS)、超高场FAIMS、差分离子迁移光谱仪(DFMS)和差分迁移光谱仪(DMS)、行波离子迁移谱仪、半导体气体传感器、拉曼光谱仪、激光二极管检测器、质谱仪(MS)、电子捕获检测器、光电离检测器、基于化学发光的检测器、电化学传感器、红外光谱仪、片上实验室检测器及其组合中的至少一个。
所属类别：	发明专利