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原文传递电离设备和离子迁移谱仪设备

专利名称：	电离设备和离子迁移谱仪设备
摘要：	本发明公开了一种电离设备和离子迁移谱仪设备，该电离设备包括：基底；布置在所述基底上的第一平面电极；以及第二平面电极；其中，介电层将所述第一平面电极与所述第二平面电极分离；以及其中，所述电离设备被配置成产生与所述第一平面电极和所述第二平面电极之间的局部增强的电场相对应的多个等离子体生成位置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	加拿大;CA
申请人：	蒙特利尔史密斯安检仪公司
发明人：	I·库布利克;S·菲尔德;B·阿塔曼舒克;M·皮尼亚尔斯基;M·莱希特尔;D·莱文;V·谢尔盖耶夫;H·扎列斯基
专利状态：	有效
申请日期：	2014-11-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910212112.6
公开号：	CN110133095A
代理机构：	北京润平知识产权代理有限公司
代理人：	肖冰滨;王晓晓
分类号：	G01N27/62(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	加拿大安大略
主权项：	1.一种电离设备，该电离设备包括：基底；布置在所述基底上的第一平面电极；以及第二平面电极；其中，介电层将所述第一平面电极与所述第二平面电极分离；以及其中，所述电离设备被配置成产生与所述第一平面电极和所述第二平面电极之间的局部增强的电场相对应的多个等离子体生成位置。 2.根据权利要求1所述的电离设备，其中，所述第二电极包括分支和缝隙之一，以便提供所述第一平面电极的多个交叉处，其中在该多个交叉处产生局部增强的电场区域。 3.根据权利要求2所述的电离设备，其中，所述第二电极被分支。 4.根据权利要求2所述的电离设备，其中，所述第二电极限定了单个缝隙或缝隙的阵列。 5.根据权利要求1-4任一项所述的电离设备，其中，所述局部增强的电场同时触发介电势垒放电。 6.根据权利要求1-4任一项所述的电离设备，其中，所述第一平面电极被所述介电层密封在所述基底上。 7.根据权利要求1-4任一项所述的电离设备，其中，所述电离设备的平面组件采用层叠或真空沉积技术制成。 8.一种离子迁移谱仪IMS设备，该IMS设备包括：电离室，用于电离感兴趣的气体或蒸汽中的至少一者；电离设备，该电离设备包括：基底；布置在所述基底上的第一平面电极；以及第二平面电极；其中，介电层将所述第一平面电极与所述第二平面电极分离；以及其中，所述电离设备被配置成产生与所述第一平面电极和所述第二平面电极之间的局部增强的电场相对应的多个等离子体生成位置；漂移通道，该漂移通道与所述电离室流体连通；门，该门被布置在所述电离室与所述漂移通道之间，以用于选择性地提供从所述电离室到所述漂移通道的入口；以及集电电极，该集电电极被布置在所述漂移通道的与所述门相对的端部处，该集电电极用于收集来自所述感兴趣的气体或蒸汽中的至少一者的离子。 9.根据权利要求8所述的IMS设备，其中，所述第二电极包括分支和缝隙之一，以便提供所述第一平面电极的多个交叉处，其中在该多个交叉处产生局部增强的电场区域。 10.根据权利要求9所述的IMS设备，其中，所述第二电极被分支。 11.根据权利要求9所述的IMS设备，其中，所述第二电极限定了单个缝隙或缝隙的阵列。 12.根据权利要求8-11任一项所述的IMS设备，其中，所述局部增强的电场同时触发介电势垒放电。 13.根据权利要求8-11任一项所述的IMS设备，其中，所述第一平面电极被所述介电层密封在所述基底上。 14.根据权利要求8-11任一项所述的IMS设备，其中，所述电离设备的平面组件采用层叠或真空沉积技术制成。
所属类别：	发明专利