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原文传递一种漏磁检测缺陷三维量化方法

专利名称：	一种漏磁检测缺陷三维量化方法
摘要：	本发明公开了一种漏磁场检测缺陷三维量化方法，用以解决现有技术中漏磁检测技术实现方法复杂，精度较低的技术问题。包括以下步骤：S1：对待测材料进行人工磁化，采集其漏磁场信号{B}；S2：采用磁荷分布重构算法，对待测材料内部的磁荷分布进行反演，得到待测材料无缺陷区域的磁荷密度；S3：以待测材料无缺陷区域的磁荷密度作为常数，并截取待测材料缺陷区域的漏磁场信号，反演迭代重构缺陷区域的缺陷深度，获得待测材料缺陷区域的三维图像；与现有技术相比，本发明简化了步骤，提高了精度，节约了能源。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	宁夏;64
申请人：	北方民族大学
发明人：	李红梅;黄冉冉;闫佳
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-07T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910173344.5
公开号：	CN110220966A
代理机构：	银川长征知识产权代理事务所
代理人：	邢芳丽
分类号：	G01N27/83(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	750021 宁夏回族自治区银川市西夏区文昌北街204号
主权项：	1.一种漏磁检测缺陷三维量化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：对待测材料进行人工磁化，采集其漏磁场信号{B}； S2：采用磁荷分布重构算法，对待测材料内部的磁荷分布进行反演，得到待测材料无缺陷区域的磁荷密度； S3：以待测材料无缺陷区域的磁荷密度作为常数，并截取待测材料缺陷区域的漏磁场信号，反演迭代重构缺陷区域的缺陷深度，获得待测材料缺陷区域的三维图像；其中，步骤S3具体过程为： S31：根据磁荷分布理论，已知待测材料无缺陷区域的磁荷密度的前提下，待测材料缺陷区域某点处的漏磁场信号为其中，μ0为磁导率，v为源点处的有限单元体积，ρ为待测材料无缺陷区域的磁荷密度，h为场点和源点z坐标的差值，xj、xi、yj、yi分别为场点rj和源点的x、y坐标，di为场点rj处的缺陷深度值； S32：以h作为缺陷深度场{d}的迭代初始值，则 S33：根据步骤S32，构建漏磁场信号{B}与缺陷深度场{d}的关联关系及深度场系数矩阵kd(i,j)，即 {B}＝[Kd]{d}, S34：根据漏磁场信号{B}与缺陷深度场{d}的关联关系，及深度场系数矩阵kd(i，j)，同时对缺陷深度场和深度系数矩阵进行反演迭代，获得缺陷区域的缺陷深度。 2.如权利要求1所述的漏磁检测缺陷三维量化方法，其特征在于，步骤S34中，缺陷深度场{d}和深度系数矩阵kd(i，j)的反演迭代过程为： St0：给定{d}的初始值，终止迭代条件εend，和深度系数场[Kd]； Stl：由公式{B}＝[Kd]{d}，利用给定的{d}正演计算出对应的{B}，得到漏磁场信号计算值{B}与漏磁场信号实验值{Btar}的标准差ε； St2：比较ε与εend，若ε大于εend，则更新{d}和[Kd]，重复步骤St2，直至ε小于εend，则迭代终止，得到缺陷深度场{d}。 3.如权利要求1所述的漏磁检测缺陷三维量化方法，其特征在于，步骤S1中，人工磁化的磁化强度大于地磁场信号的强度，小于饱和磁化所需磁场的强度。
所属类别：	发明专利