专利名称: |
一种钼酸铋/硼氮掺杂石墨烯光电功能材料的制备方法及其用途 |
摘要: |
本发明属于电化学功能纳米材料制备领域,公开了一种钼酸铋/硼氮掺杂石墨烯光电功能材料的制备方法及其用途。具体采用一种简单、有效的一步溶剂热法合成钼酸铋纳米粒子负载硼氮掺杂石墨烯纳米片,基于该光电功能材料构建光电化学传感器。制备的钼酸铋/硼氮掺杂石墨烯光电功能材料展现了优异的光电性能,构建的光电化学传感器可应用于生命分析领域。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
江苏;32 |
申请人: |
江苏大学 |
发明人: |
王坤;葛兰;刘倩 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-04-04T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-16T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910272318.8 |
公开号: |
CN110133063A |
分类号: |
G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |
主权项: |
1.一种Bi2MoO6/BNG光电功能材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)将五水合硝酸铋和二水合钼酸钠分别溶解在乙醇溶液中,在一定温度下剧烈搅拌,接着,在磁力搅拌下将二水合钼酸钠溶液滴加到五水合硝酸铋溶液,得到溶液A; (2)将一定量氧化石墨烯粉末和五硼酸铵分散在乙醇溶液中,超声分散均匀,得到溶液B; (3)在磁力搅拌下,将溶液B缓慢滴加到溶液A中后,保持搅拌一定时间;然后将混合溶液转入不锈钢高压釜中反应;冷却至室温,离心后,用去离子水和乙醇洗涤;干燥后,得到Bi2MoO6/BNG光电功能材料。 2.如权利要求1所述的Bi2MoO6/BNG光电功能材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述溶液A中,五水合硝酸铋,二水合钼酸铋和乙醇溶液的用量比为0.2425g:0.065g:10mL,搅拌温度为40~80℃。 3.如权利要求1所述的Bi2MoO6/BNG光电功能材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述溶液B中,五硼酸铵、氧化石墨烯和乙醇溶液的用量比为100mg:5-30mg:10mL。 4.如权利要求1所述的Bi2MoO6/BNG光电功能材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,溶液A和溶液B的体积比为1:1,搅拌时间为0.5~2h。 5.如权利要求1所述的Bi2MoO6/BNG光电功能材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述反应温度为140-180℃,时间12-24h。 6.将权利要求1~5任一项所述制备方法制得的Bi2MoO6/BNG光电功能材料用于制备光电化学传感器来检测抗生素的用途。 7.如权利要求6所述的用途,其特征在于,具体步骤为: (1)按比例将Bi2MoO6/BNG光电功能材料分散于N,N二甲基甲酰胺中制备成Bi2MoO6/BNG悬浮液; (2)取10μL-50μL的Bi2MoO6/BNG悬浮液分别修饰在ITO电极上,在室温下干燥得到Bi2MoO6/BNG/ITO,接着滴凃10-50μL LIN的适配体溶液,得到适配体-Bi2MoO6/BNG/ITO电极; (3)取10-50μL不同浓度的LIN溶液滴涂在适配体-Bi2MoO6/BNG/ITO电极上,得到LIN/适配体-Bi2MoO6/BNG/ITO电极,以ITO作为工作电极,饱和甘汞电极作为参比电极,铂丝作为对电极,经过电化学工作站三电极系统,在氙灯光源的照射下进行光电化学分析;基于Bi2MoO6/BNG光电功能材料构建的光电化学传感器用于检测LIN。 8.如权利要求7所述的的用途,其特征在于,步骤(1)中,所述Bi2MoO6/BNG悬浮液的浓度为5mg/mL。 9.如权利要求7所述的的用途,其特征在于,步骤(2)中,所述LIN适配体序列:5′-CGCGTGAT GTGG TCGA TGCG ATAC GGTG AGTC GCGC CACG GCTA CACA CGTC TCAG CGA-3′。 10.如权利要求7所述的的用途,其特征在于,步骤(3)中,所述LIN溶液的浓度为1×10-12~1×10-5mol L–1;氙灯光源的强度为25%~100%。 |
所属类别: |
发明专利 |