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原文传递 使用荧光纳米金刚石的成像系统
专利名称: 使用荧光纳米金刚石的成像系统
摘要: 公开了使用荧光纳米金刚石的成像系统。该成像系统包括:成像台,用于安装试样;辐射源,被配置为激发荧光金刚石且被引导到试样上;荧光检测器,被配置为检测金刚石荧光且被配置为检测来自试样的荧光;以及被配置为向试样施加时变磁场的装置。
专利类型: 实用新型
国家地区组织代码: 美国;US
申请人: 必康达
发明人: A·巴姆博;K·C·纽曼
专利状态: 有效
申请日期: 2016-04-08T00:00:00+0800
发布日期: 2019-08-16T00:00:00+0800
申请号: CN201690000878.8
公开号: CN209264567U
代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
代理人: 姬利永;钱慰民
分类号: G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址: 美国加利福尼亚州
主权项: 1.一种成像系统,其特征在于,包括: 成像台,用于安装试样; 辐射源,被配置为激发荧光金刚石且被引导到所述试样上; 荧光检测器,被配置为检测金刚石荧光且被配置为检测来自所述试样的荧光;以及 被配置为向所述试样施加时变磁场的装置。 2.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,包括包含被安装在所述成像台上的所述金刚石的所述试样。 3.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述辐射源选自由激光器和氙弧灯组成的组。 4.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述荧光金刚石是荧光纳米金刚石,且包括二氧化硅涂覆的荧光金刚石或功能化的二氧化硅涂覆的荧光金刚石。 5.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述荧光金刚石是荧光纳米金刚石,且包括功能化的二氧化硅涂覆的荧光纳米金刚石。 6.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,被配置为施加时变磁场的所述装置包括永磁体,所述永磁体相对于所述试样旋转。 7.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,被配置为施加所述时变磁场的所述装置包括被配置为相对于所述试样移动且被定位在所述试样的上方、下方或旁边的永磁体。 8.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,被配置为施加时变磁场的所述装置包括电磁体。 9.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,包括用于处理来自数据的图像的成像处理单元,所述数据来自所述荧光检测器。 10.根据权利要求9所述的成像系统,其特征在于,所述成像处理单元被配置为将用由所述装置向所述试样提供的第一施加磁场获得的图像与用由所述装置向所述试样提供的第二施加磁场获得的荧光图像进行比较。 11.根据权利要求10所述的成像系统,其特征在于,所述第一施加磁场和所述第二施加磁场具有不同的强度。 12.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统是便携式的。 13.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统被配置为对具有从1cm至10cm的尺寸的所述试样的一部分进行成像。 14.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统被配置为对具有至少1cm的尺寸的所述试样的一部分进行成像。 15.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统被配置为对具有小于0.1cm的尺寸的所述试样的一部分进行成像。 16.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统被配置为对具有从0.01cm至0.1cm的尺寸的所述试样的一部分进行成像。 17.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述辐射源和所述荧光检测器被配置为相对于所述试样移动。 18.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述辐射源、所述荧光检测器和配置为施加时变磁场的所述装置被配置为相对于所述试样移动。 19.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述系统包括多个包括荧光检测器的检测器。 20.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述系统包括围绕所述试样布置的多个荧光检测器,所述多个荧光检测器被配置为围绕所述试样旋转且接收来自所述试样的荧光信号。 21.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述系统包括多个荧光检测器,且所述多个荧光检测器、所述辐射源和所述装置围绕所述试样布置并且被配置为当所述系统处于操作时围绕所述试样旋转。 22.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述金刚石是纳米金刚石。 23.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,被配置为向所述试样施加时变磁场的所述装置还在同一时间向所述金刚石施加所述时变磁场,所述金刚石是纳米金刚石。 24.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述荧光金刚石是荧光纳米金刚石且包括功能化的荧光纳米金刚石。 25.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,进一步包括被配置为向所述试样施加时变磁场的多个装置。
所属类别: 实用新型
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