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原文传递过氧化氢电化学传感器电极、制备方法及传感器

专利名称：	过氧化氢电化学传感器电极、制备方法及传感器
摘要：	本发明涉及一种过氧化氢电化学传感器电极、制备方法及传感器，所述传感器包括过氧化氢传感器电极，所述过氧化氢传感器电极包括基底，基底之上的金膜，以及形成于所述金膜之上的修饰层，其中，所述金膜为多孔结构，其平均孔径为20～50nm；所述修饰层包括普鲁士蓝，所述过氧化氢传感器检测过氧化氢的检测极限为0.25μM以下，至少在1～10000μM的范围内具有线性响应。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	宁波大学
发明人：	鲁思渊;黄金磊;冯雪
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910543353.9
公开号：	CN110220953A
代理机构：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	刘新宇;李茂家
分类号：	G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	315211 浙江省宁波市江北区风华路818号
主权项：	1.一种过氧化氢传感器，其特征在于，所述传感器包括过氧化氢传感器电极，所述过氧化氢传感器电极包括基底，基底之上的金膜，以及形成于所述金膜之上的修饰层，其中，所述金膜为多孔结构，其平均孔径为20～50nm；所述修饰层包括普鲁士蓝，所述过氧化氢传感器检测过氧化氢的检测极限为0.25μM以下，至少在1～10000μM的范围内具有线性响应。 2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述金膜的厚度为100～1000nm。 3.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述修饰层通过电化学沉积而得到；其厚度为150～600nm。 4.根据权利要求1～3任一项所述的传感器，其特征在于，所述金膜为通过使用金与第二金属形成的合金的溅射沉积得到合金膜后，至少部分地去除所述合金膜中的第二金属而得到，所述第二金属为选自银和镍中的至少一种，优选为银；所述金与第二金属的原子比为60～70：40～30。 5.根据权利要求1～4任一项所述的传感器，其特征在于，在所述基底与金膜之间存在第一金属过渡层，所述第一金属过渡层包含选自Cr、Ti以及它们的合金中的至少任一者。 6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述第一金属过渡层与金膜之间还存在第二金属过渡层，所述第二金属过渡层包含金。 7.根据权利要求5或6所述的传感器，其特征在于，所述第一金属过渡层和/或第二金属过渡层各自独立地采用溅射沉积法形成，且厚度为10～40nm。 8.根据权利要求1～7任一项所述的传感器，其特征在于，所述传感器的灵敏度为650mA/Mcm2以上。 9.一种过氧化氢传感器电极，其特征在于，所述电极包括基底，基底之上的金膜，以及形成于所述金膜之上的修饰层，其中，所述金膜为多孔结构，其平均孔径为20～50nm；所述修饰层包括普鲁士蓝，所述过氧化氢传感器电极检测过氧化氢的检测极限为0.25μM以下，至少在1～10000μM的范围内具有线性响应，灵敏度为650mA/Mcm2以上。 10.根据权利要求9所述的电极，其特征在于，所述金膜的厚度为100～1000nm。 11.根据权利要求9或10所述的电极，其特征在于，所述修饰层厚度为150～600nm。 12.一种过氧化氢传感器电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：溅射沉积步骤，以金与第二金属形成的合金为靶材，在基底上溅射沉积得到合金膜；脱合金步骤，将所述合金膜中的所述第二金属溶解去除，得到金膜；修饰沉积步骤，在所述金膜表面电化学沉积普鲁士蓝，其中，在所述溅射沉积步骤中，金与第二金属的原子比为60～70：40～30在所述脱合金步骤中，所述金膜的平均孔径为20～50nm。 13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述金膜的厚度为100～1000nm；所述修饰层厚度为150～600nm。
所属类别：	发明专利