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一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极
| 专利名称： | 一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极，所述电极采用巯基化氧化还原石墨烯作为离子‑电子传导层，所述传导层上覆盖离子选择性传感膜。巯基化氧化还原石墨烯在金电极表面的共价键连接形成稳定的传导层。得到的电极具有能斯特响应和低检测限以及良好的选择性。更重要的是，当模拟外界环境时，把电极置于使用蠕动泵的持续流动的溶液中长达两周后，基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极具有比氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极更长的寿命。这些优点使得巯基化氧化还原石墨烯有望成为开发经久耐用的固接型离子选择性电极的一种通用可靠的离子‑电子传导层。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 华东理工大学 |
| 发明人： | 刘玥伶;王平;黄浩博 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-06-12T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-09-17T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910507465.9 |
| 公开号： | CN110243910A |
| 代理机构： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 翟羽 |
| 分类号： | G01N27/333(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 200237 上海市徐汇区梅陇路130号 |
| 主权项： | 1.一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极，其特征在于，所述电极采用巯基化氧化还原石墨烯作为离子-电子传导层，所述传导层上覆盖离子选择性传感膜。 2.根据权利要求1所述的一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极，其特征在于，所述传导层采用定点沉积的方法，覆盖电极界面的金导体部分。 3.根据权利要求1所述的一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极，其特征在于，所述巯基化氧化还原石墨烯是2-氨基乙硫醇官能化氧化还原石墨烯。 4.根据权利要求1所述的一种基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极，其特征在于，所述离子选择性传感膜为K+选择性传感膜或者NO3-选择性传感膜。 5.巯基化氧化还原石墨烯在制备权利要求1所述基于巯基化氧化还原石墨烯的固接型离子选择性电极的离子-电子传导层中的应用。 6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述巯基化氧化还原石墨烯是2-氨基乙硫醇官能化氧化还原石墨烯。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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