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一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法
| 专利名称： | 一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法 |
| 摘要： | 本发明公开一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，本发明测得的本征沉积速率与气相中间产物无关，代表的是源气体自身的沉积速率，沉积速率的大小通过实验前后多孔陶瓷片的质量差来确定，成本低。通过简单的数据处理就能得到前驱体的本征沉积速率，操作方便，快捷高效。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海大学 |
| 发明人： | 张丹;李爱军;方文放 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-06-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-09-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910502911.7 |
| 公开号： | CN110261256A |
| 代理机构： | 上海市海华永泰律师事务所 |
| 代理人： | 包文超 |
| 分类号： | G01N5/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N5 |
| 申请人地址： | 200444 上海市宝山区上大路99号 |
| 主权项： | 1.一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1)沉积基底准备：准备多块圆柱形多孔陶瓷片，编号1，2，3，4，……，并分别称量得其质量M11，M12，M13，M14，……； 2)模具组装：将所述多块圆柱形多孔陶瓷片按顺序竖直装入石墨模具中，组装模具； 3)CVD/CVI沉积：将所述模具装入沉积炉内恒温区域，通入惰性气体作为保护气体升温，达到指定温度后通过真空泵控制到指定压力，控制源气体在等温区的滞留时间，进行CVD/CVI沉积； 4)沉积基底称重：沉积结束后，通入惰性气体使沉积炉内压力恢复为常压，待温度冷却至室温后停止通入惰性气体，从沉积炉内取出所述模具，称量得模具内所述多块圆柱形多孔陶瓷片质量M21，M22，M23，M24，……； 5)计算沉积速率：根据测得的所述多块圆柱形多孔陶瓷片的质量差，计算出该源气体在所述各编号位置处的沉积速率； 6)绘制沿程沉积速率曲线：将所述各编号多孔陶瓷片按离进气口的距离由近及远排序，以离等温区进气口的距离为横坐标，沉积速率为纵坐标，绘制出沿程沉积速率曲线图； 7)计算本征沉积速率：将沿程沉积速率曲线反向外延至离等温区进气口距离为0处，此处得到的沉积速率就是该源气体在当前工艺条件下的本征沉积速率。 2.根据权利要求1所述的测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，所述石墨磨具的进气口为锥形孔，锥形孔的下端通过气体通道连通一圆柱形孔；所述圆柱形孔的直径大于所述气体通道的直径，所述气体通道的直径和所述锥形孔入口面的直径相等。 3.根据权利要求1所述的测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，所述指定温度低于1200℃。 4.根据权利要求1所述的测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，所述指定压力低于10kPa。 5.根据权利要求1所述的测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，所述源气体为小分子烃类气体或者其它小分子气相前驱体。 6.根据权利要求1所述的测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，其特征在于，所述指定气体停留时间低于1秒。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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