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一种具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底及其制备方法
| 专利名称： | 一种具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明针对金属/半导体纳米复合材料之间的协同效应可以产生或获得场增强光吸收、增强发光、蛋白质检测能力和优异的电催化性能等，将其与SERS的超灵敏技术结合，提出了一种具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底及其制备方法。基于结合模板法，利用聚苯乙烯胶体球(PSCP)提供对称性良好的周期性阵列结构，再利用磁控溅射的手段分层溅射Ag和ZnS。通过改变ZnS的溅射时间使其厚度达到一定程度时，探针分子的拉曼信号强度将会发生显著的改变。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 吉林;22 |
| 申请人： | 吉林师范大学 |
| 发明人： | 陈雷;马宁;冯静东;孙艳涛;刘洋;张永军 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-07-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-09-13T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910589596.6 |
| 公开号： | CN110231331A |
| 代理机构： | 长春吉大专利代理有限责任公司 |
| 代理人： | 李泉宏 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 136000 吉林省四平市铁西区海丰大街1301号 |
| 主权项： | 1.一种具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底，其特征在于，该基底的以直径500nm的二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列为模板，依次沉积50nm厚的ZnS和5～40nm厚的ZnS，得到具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底。 2.如权利要求1所述的具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底的制备方法，具体步骤如下： 1)采用结合模板法制备出均匀的直径500nm的二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列； 2)利用磁控溅射法在聚苯乙烯胶体球阵列模板上依次沉积50nm厚的ZnS和5～40nm厚的ZnS，得到Ag/ZnS二维有序的SERS活性基底材料； 其中，步骤2)的具体步骤如下：将Ag靶和ZnS靶分别装入磁控溅射腔体中的磁性靶位上，靶位偏角为0°，开始前背景气压需低于1.0×10-6，设置Ar气的气流量以控制工作气压在10-3量级，Ag的溅射功率设置为10W，溅射时间为5min，ZnS的溅射功率为100W，溅射时间时间为20～80min。 3.根据权利要求2所述的具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底的制备方法，其特征在于，步骤1)制备均匀的直径500nm的二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列的具体步骤如下： A、将体积被为1:2:6的氨水、过氧化氢、去离子水的混合溶液中加入尺寸为1cm×1cm的硅片加热至300℃煮沸10min，待冷却后将硅片取出，加入适量去离子水或乙醇彻底清洗干净。将清洗好的硅片浸泡在去离子水中待用； B、取聚苯乙烯胶体球与乙醇按1:1的比例混合滴加到浸泡在10％浓度的十二烷基硫酸钠溶液中的亲水性硅片上。将硅片以45°倾斜角缓慢插入装满水的容器中，使亲水性硅片上的阵列膜转移到水面上。最后用步骤A中清洗好的硅片将单层膜捞起，静态自然蒸发使之完全干燥，留作磁控溅射的基底材料。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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