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原文传递基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

专利名称：	基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用
摘要：	本发明公开了一种基于钙钛矿量子点(CsPbBr3)和氧化石墨烯(GO)同型异质结构的分子印迹传感器的制备及其用于黄曲霉毒素B1(AFB1)的检测。本发明以CsPbBr3包裹或负载在氧化石墨烯的褶皱里面构建同型异质结构，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为疏水层，并结合分子印迹技术，成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以CsPbBr3和GO形成的同型异质结作为光电转换层，聚甲基丙烯酸甲酯作为保护层，并通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现AFB1的检测。该传感器具有检测范围宽，选择性好，灵敏度高，检测限高达0.74pg·mL‑1；同时响应稳定，具有良好的重现性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	湖北大学
发明人：	毛乐宝;张修华;文为;何汉平;王升富
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-05T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-17T00:00:00+0800
申请号：	CN201910608570.1
公开号：	CN110243889A
代理机构：	北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人：	杨采良
分类号：	G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
主权项：	1.一种基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述传感器由下至上包括依次层叠的工作电极、CsPbBr3/GO同型异质结构层、疏水层和分子印迹聚合物膜层。 2.根据权利要求1所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述疏水层材料优选采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。 3.权利要求1或2所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：首先将CsPbBr3/GO复合材料涂覆到预处理后的工作电极表面形成CsPbBr3/GO同型异质结构光电转换层，干燥；然后将疏水层材料涂覆到所述光电转换层表面形成疏水层，干燥；再将含有AFB1毒素的分子印迹聚合液涂覆在所述疏水层表面，通过光聚合得到分子印迹聚合物膜，再利用有机溶剂洗脱模板分子，得到所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器。 4.根据权利要求3所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述分子印迹聚合液由AFB1模板分子、功能单体甲基丙烯酸(MAA)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)交联剂和偶氮二异丁腈(AIBN)引发剂组成。 5.根据权利要求4所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述CsPbBr3/GO复合材料采用如下方法制得，步骤如下： (a)CsOA的制备：按配比将碳酸铯、1-十八烯和油酸混匀后在115～125℃条件下抽真空0.5～1h，然后在惰性氛围中将反应温度升至145～155℃形成光学透明溶液，继续恒温回流0.5～1h后将所得溶液冷却至室温，获得CsOA溶液； (b)CsPbBr3的制备：按配比将1-十八烯，油胺，油酸和溴化铅混匀后在115～125℃条件下抽真空0.5～1h；然后在惰性氛围中将温度升至175～185℃使溴化铅完全溶解，获得混合溶液；再将步骤(a)制备的CsOA溶液注入到所述混合溶液中恒温反应3～10s；反应结束后，冷却至室温，洗涤、离心，获得CsPbBr3钙钛矿量子点，最后用有机溶剂将所述CsPbBr3钙钛矿量子点溶解配制成合适浓度的CsPbBr3溶液；其中：所述CsOA与溴化铅的摩尔比为1：2～5； (c)CsPbBr3/GO的制备：在超声条件下，将氧化石墨烯缓慢加入到步骤(2)制备的CsPbBr3溶液中，均匀混合得到CsPbBr3/GO复合材料；其中：所述氧化石墨烯与CsPbBr3的质量比为1：2～10。 6.根据权利要求5所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：步骤(a)所述碳酸铯、1-十八烯和油酸的用量比为(5～15)mmol：(10～30)mL：(10～30)mL；步骤(b)所述1-十八烯、油胺、油酸的体积比为(3～5)：1；所述溴化铅与1-十八烯的用量比为(1～3)mmol：20mL。 7.根据权利要求5所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：步骤(a)所述CsOA溶液的浓度为0.1～1.0 M；步骤(b)所述CsPbBr3溶液浓度为5～15mg/mL。 8.权利要求1或2所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用，其特征在于：可用于AFB1毒素分析检测。 9.权利要求8所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用方法，其特征在于：所述方法步骤如下： (i)将所述分子印迹光电化学传感器浸入到含AFB1的溶液中孵化15～25min； (ii)孵化结束后，检测分子印迹光电化学传感器的电信号：将所述传感器放入含有抗坏血酸(AA)的溶液中进行电流-时间扫描，得到电流信号变化情况。 10.根据权利要求9所述的基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器的应用方法，其特征在于：步骤(ii)所述的抗坏血酸浓度为25～35nM。
所属类别：	发明专利