专利名称: |
一种耦合增强的D型光纤SPR传感器 |
摘要: |
本发明公开了一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,包括D型光纤结构,所述D型光纤结构的平整截面镀有金膜,所述金膜的表面镀有金纳米球壳。该SPR传感器采用D型光纤结构,通过加大D型光纤的研磨深度,增大了传感器的有效探测面积,并使消逝场能量可以直接与被测物质作用,避免了能量耦合的损耗,提高了传感器的灵敏度。在D型光纤的平整截面上镀一层金膜,在金膜表面固定一层金纳米球壳,由于金纳米球壳内部存在空腔,其独特的结构特征可以有效的提高局域电场的场强。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
辽宁;21 |
申请人: |
东北大学 |
发明人: |
王琦;牛立业;宋行;王雪州;井建迎;赵万明 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-07-26T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-10-18T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910680206.6 |
公开号: |
CN110346332A |
代理机构: |
大连东方专利代理有限责任公司 |
代理人: |
姜玉蓉;李洪福 |
分类号: |
G01N21/552(2014.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号 |
主权项: |
1.一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征在于包括:D型光纤结构(1),所述D型光纤结构(1)包括半圆形截面(12)和平整截面(11),所述平整截面(11)上镀有金膜(2),所述金膜(2)的表面镀有金纳米球壳(3)。 2.根据权利要求1所述的一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述D型光纤结构(1)的光纤直径为50—1000um,平整截面(11)的宽度为50—1000um。 3.根据权利要求1所述的一种基于金膜和金纳米球壳耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述金膜(2)的厚度为10nm—150nm。 4.根据权利要求1所述的一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述金纳米球壳(3)的直径么为10nm—100nm,所述金纳米球壳(3)的壁厚为5nm—45nm。 |
所属类别: |
发明专利 |