专利名称: |
基于纳米线阵列的传感器及使用该传感器的检测方法 |
摘要: |
本发明提供了一种基于纳米线阵列的传感器,包括:复数条纳米线构成的纳米线阵列;各所述纳米线的两端分别电连接到第一、第二引出端;所述第一、第二引出端用于电连接至信号处理端。其中构成纳米线阵列的各纳米线至的相邻纳米线的线间距小于被测物尺寸设置,并且所述纳米线上可修饰有特异性结合被测物的位点。还相应的提供了基于该传感器的检测方法,包括:使用所述传感器的纳米线阵列捕获被测物;由信号处理端获得电信号变化,根据电信号变化确定被测物数量和浓度数据。由上本发明结构的传感器可以实现对菌落、细胞或微米尺寸颗粒物的被测物的检测。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
天津;12 |
申请人: |
天津大学 |
发明人: |
薛茜男;段学欣;王启坤 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-07-25T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-10-25T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910679003.5 |
公开号: |
CN110376256A |
代理机构: |
北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
韩登营;曲芳兵 |
分类号: |
G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
300072 天津市南开区卫津路92号 |
主权项: |
1.一种基于纳米线阵列的传感器,其特征在于,包括: 复数条纳米线构成的纳米线阵列; 各所述纳米线的两端分别电连接到第一、第二引出端; 所述第一、第二引出端用于电连接至信号处理端。 2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:构成纳米线阵列的各纳米线平行设置,相邻纳米线的线间距为1nm-5000nm,且小于被测物尺寸设置。 3.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述纳米线上修饰有特异性结合被测物的位点。 4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一、第二引出端为导线的线状结构,所述纳米线阵列修饰于该两导线之间。 5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一、第二引出端为相对的电极板状的结构,所述纳米线阵列修饰于该两电极板之间。 6.根据权利要求4、5任一所述的传感器,其特征在于,第一、第二引出端分别具有复数个互不电连接的触点形成的触点阵列;第一引出端的一触点与第二引出端的一触点之间连接有至少一纳米线;第一、第二引出端的触点阵列分别引出电连接线,以将多路电信号电连接至信号处理端。 7.一种使用权利要求1至6任一所述基于纳米线阵列的传感器的检测方法,其特征在于,包括: 使用所述传感器的纳米线阵列捕获被测物; 由信号处理端获得电信号变化。 8.根据权利要求7所述的检测方法,其特征在于,根据所述电信号变化的大小,确定被测物的数量和/或浓度。 9.根据权利要求8所述的检测方法,其特征在于,当信号处理端采集是多路电信号时,还根据各路电信号的变化,确定被测物在纳米线阵列上被捕获的位置。 10.根据权利要求7所述的检测方法,其特征在于,还包括:所述纳米线上修饰有与被测物荧光特性特异性结合物,还根据所述传感器捕获的被测物时产生的荧光变化确定被测物的数量、浓度和/或在纳米线阵列上的位置;或 所述纳米线上修饰使纳米线具有荧光的材料,根据所述传感器捕获的被测物时遮住荧光所产生的变化确定被测物的数量、浓度和/或在纳米线阵列上的位置。 |
所属类别: |
发明专利 |