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原文传递一种高压条件下的光谱测量装置

专利名称：	一种高压条件下的光谱测量装置
摘要：	本实用新型涉及材料研究领域，一种高压条件下的光谱测量装置，包括上压力盘、下压力盘、调平螺丝、压力螺丝、顶砧限位螺丝、上支撑盘、下支撑盘、上顶砧、下顶砧、环形垫圈、压力媒介、样品、限位螺杆、光收集系统和激光器，能够在高压条件下研究样品的光谱特性、尽可能抑制顶砧材料的信号，使得入射光和样品表面的反射光分别通过顶砧的冠部斜切面进入和离开顶砧，入射光从金刚石顶砧的冠部斜切面入射，在样品表面的入射角较大，从而能够更好地将金刚石的散射光及荧光与样品的散射光分离开来，压力装置无需导轨结构，避免了由于部件松弛而造成的压力偏差，无需将激光聚焦到样品上非常小的区域，能够减少激光导致的样品表面的局域热量。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	金华职业技术学院
发明人：	张向平;方晓华
专利状态：	有效
申请日期：	2018-11-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201822028372.1
公开号：	CN209542432U
分类号：	G01N21/25(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	321017 浙江省金华市婺州街1188号
主权项：	1.一种高压条件下的光谱测量装置，包括上压力盘(1)、下压力盘(2)、调平螺丝(3)、压力螺丝(4)、顶砧限位螺丝(5)、上支撑盘(6)、下支撑盘(7)、上顶砧(8)、下顶砧(9)、环形垫圈(10)、压力媒介(11)、样品(12)、限位螺杆(13)、光收集系统(14)和激光器(15)，xyz为三维空间坐标系，上顶砧(8)的底面向下，下顶砧(9)的底面向上，环形垫圈(10)位于上顶砧(8)的底面和下顶砧(9)的底面之间，环形垫圈(10)中具有压力媒介(11)，样品(12)位于压力媒介(11)内，对样品(12)施加高压时，上顶砧(8)和下顶砧(9)相互靠近，并通过压力媒介(11)将压力施加到样品(12)上，高压范围5GPa到30GPa，光收集系统(14)能够收集的光对应的区域称为光收集区域，其特征是：上压力盘(1)与下压力盘(2)在竖直y方向同轴排列，上压力盘(1)距中心为三厘米的圆周上具有三个均布的M5螺孔，上压力盘(1)距中心为四厘米的圆周上具有三个均布的M4螺孔，每个所述M4螺孔的侧面均具有限位螺杆(13)，下压力盘(2)具有三个均布的M5螺孔、且与上压力盘(1)的所述M5螺孔对应，下压力盘(2)上面具有三个均布的圆锥形凹槽、且与上压力盘(1)的所述M4螺孔对应，压力螺丝(4)通过M5螺孔将下压力盘(2)与上压力盘(1)相连接，调平螺丝(3)的顶端为圆锥形，调平螺丝(3)通过上压力盘(1)的M4螺孔、且顶端位于下压力盘(2)的圆锥形凹槽内，在下压力盘(2)的上表面距中心为二厘米的圆周上安装有三个均布的顶砧限位螺丝(5)，上支撑盘(6)嵌套于上压力盘(1)内并连接固定，光收集系统(14)位于上支撑盘(6)中心的正上方，下支撑盘(7)嵌套于下压力盘(2)内，下支撑盘(7)能够通过三个顶砧限位螺丝(5)来微调，能够改变下支撑盘(7)与下压力盘(2)之间在水平面内的相对位置，上顶砧(8)和下顶砧(9)均采用金刚石标准切工加工而成、且具有台面(8-1)、冠部(8-2)、腰面(8-3)、亭部(8-4)和底面(8-5)，冠部斜切面与台面(8-1)的夹角为40度，上支撑盘(6)的内侧下部具有与水平方向呈40度的斜切面，上支撑盘(6)的内侧斜切面与上顶砧(8)的冠部斜切面接触，下支撑盘(7)的内侧上部具有与水平方向呈40度的斜切面，下支撑盘(7)的内侧斜切面与下顶砧(9)的冠部斜切面接触，激光器(15)发射的激光能够以法向入射上顶砧(8)冠部斜切面，并依次通过上顶砧(8)和压力媒介(11)入射到样品(12)。 2.根据权利要求1所述的一种高压条件下的光谱测量装置，其特征是：上压力盘(1)和下压力盘(2)均是外径为十厘米的钢制圆环形且具有弹性。 3.根据权利要求1所述的一种高压条件下的光谱测量装置，其特征是：压力螺丝(4)为M5螺丝，调平螺丝(3)为M4螺丝。 4.根据权利要求1所述的一种高压条件下的光谱测量装置，其特征是：上支撑盘(6)和下支撑盘(7)均是外径为三厘米的碳化硅圆环。
所属类别：	实用新型