当前位置: 首页> 交通专利数据库 >详情
原文传递 一种包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法
专利名称: 一种包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法
摘要: 本发明公开了一种包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,属于石油石化保温包覆管道腐蚀异常监测领域,包括以下步骤:对保温包覆管道进行射线剂量扫描,提取特征参数;根据提取到的特征参数,采用t检验方法,判断包覆管段内是否为段塞流;若为段塞流,则对段塞流流体腐蚀的严重程度进行定量诊断;判断未转变为段塞流,则进一步判断是否为环雾状流。若判断结果为环雾状流,则进一步对采用最小液膜厚度th[0]来对环雾状流流体腐蚀严重程度进行诊断;判断结果为未转变为环雾状流,则将当前的不会引流体腐蚀异常的特征数据存入数据库。本发明提供的包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,可在不破除管路保温的前提下,识别腐蚀的种类并判断其严重程度。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 广东;44
申请人: 广东石油化工学院
发明人: 丛广佩;孙玉江;吕广磊;何石;何凤岐
专利状态: 有效
申请日期: 2019-07-24T00:00:00+0800
发布日期: 2019-11-05T00:00:00+0800
申请号: CN201910670926.4
公开号: CN110412062A
代理机构: 南京纵横知识产权代理有限公司
代理人: 董建林
分类号: G01N23/095(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址: 525000 广东省茂名市官渡二路139号
主权项: 1.一种包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:包括以下步骤: 对保温包覆管道内壁和气相交接区域进行特征参数提取,所述特征参数用于管道腐蚀异常诊断和监测的; 根据提取到的特征参数,采用t检验方法,判断包覆管段内是否为段塞流; 若判断结果为段塞流,则对段塞流流体腐蚀的严重程度进行定量诊断;判断结果为未转变为段塞流,则进一步判断是否为环雾状流; 若判断结果为环雾状流,则进一步对采用最小液膜厚度th[0]来对环雾状流流体腐蚀严重程度进行诊断,环雾状流腐蚀严重程度与最小液膜厚度th[0]负相关。 2.根据权利要求1所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:所述t检验方法包括以下步骤: 计算出对应的t分布计算值tcn,所述t分布计算值tcn由公式(1)获得: 式中,gcnavg为气塞射线剂量变化率gcn[j]的均值、lcnavg为液塞射线剂量变化率lcn[j]的均值,gcnstv为气塞射线剂量变化率gcn[j]的标准偏差、lcnstv为液塞射线剂量变化率lcn[j]的标准偏差,u为气塞总数,v为液塞总数; 根据计算出的tcn值,取置信度为0.05,计算所述临界参考值tcnr。 3.根据权利要求1所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:判断是否为段塞流的条件为: 若tcn≥临界参考值tcnr时,则判定当前流态已经转变为段塞流; 若tcn<临界参考值tcnr时,则判定当前流态未转变为段塞流。 4.根据权利要求1所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:采用段塞流腐蚀严重程度指数LCR对段塞流流体腐蚀的严重程度进行定量诊断。 5.根据权利要求4所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:所述LCR可由公式(2)计算得到: LCR=llavg+α·llstd (2) 式中,α为加权系数,llavg为液塞长度均值,llstd为液塞长度标准差,LCR为段塞流腐蚀严重程度指数。 6.根据权利要求1所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:判断是否为环雾状流包括以下步骤: 采用边界层数量w[i]初步判断是否存在环雾状流风险; 若存在环雾状流风险,则对管道上部120°范围进行验证性测量,计算出第z个转角处的边界层数量w[z]以及第z个转角处管道内部介质的背景射线剂量m[z]; 当z取值为1到b时,正常状态下边界层数量为w0,正常状态下的背景射线剂量数据为m00,第z个转角处的边界层数量为w[z],第z个转角处管道内部介质的背景射线剂量m[z],若w[z]>w0且m[z]正常状态下边界层数量w0,则判定存在环雾状流风险; 若边界层数量w[i]≤正常状态下边界层数量w0,则判定不存在环雾状流风险。 9.根据权利要求6所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:所述w[z]由公式(5)计算得到;管道内部介质的背景射线剂量m[z]由公式(6)计算得到: w[z]=w[z]+1 (5) m[z]=d[nin+a0][z] (6) 式中,w[z]为第z个转角处的边界层数量,nin为最内层边界层所在的晶粒位号,a0为背景计算偏移量。 10.根据权利要求1所述包覆管道腐蚀异常的诊断和监测方法,其特征在于:所述最小液膜厚度th[0]由公式(7)计算得到: th[0]=(n[w[i]]-n[w[i]-1])·s (7) 式中,n[w[i]]为第i次测量的边界层w[i]所在的晶粒位号。
所属类别: 发明专利
检索历史
应用推荐